STM8系列写内部eeprom速度超慢，我之前测过不记得是1ms一个字节还是6ms一个字节，之前我没留意，现在一个项目，在写eeprom时丢串口数据，我才开始头疼起来，这样的速度确实是stm8的一大败笔！！！
STM8S写时间最大需要6.6ms。
EEPROM都这德性吧？楼主，您见过us数量级写时间的EEPROM？
LZ的应用倒是可以用缓冲的方法来解决，一次写128byte，也只需6.6ms，平均才52us 1字节，可以应付相当高的波特率的接收数据流（至少115200bps）。
反正STM8S SRAM多，是不？、、、
人家是写一个字节和写一个Page速度是一样的，这是IC设计电路决定的
内部和外部EEPROM的写速度都比较慢
正像楼上几位大虾所说，这就是EEPROM的速度，不管是内置还是外置的，你不妨采用2、3楼的方法，使用快速页写要快得多。
楼主应该在开始设计之前就把手册上的参数研究清楚：
估计楼主没有注意到写入EEPROM的时候（6ms之内）不能对EEPROM进行操作（读或写EERPOM），否则的话CPU会进入STALL状态，不执行任何语句，不响应任何中断。所以应该在EEPROM写入时进行查询FLASH_IAPSR，直到EEPROM写操作完成再进行下一步写操作！
8楼，请教，你是指HVOFF位吗？EOP位好像写完没反应的！
是EOP位，这一位烧写完成后由硬件置1，读取FLASH_IAPSR之后清为0。
不要用调试环境去读寄存器，在程序中去读取并判断。
*((u8*)(0x4000)) = 0xAA;
while(!(FLASH_IAPSR & 0x04));
/* 下一步操作 */
10楼，你调试程序的时候要烧写FLASH和EEPROM的，这几位当然为1，
对于硬件寄存器的值要确定的话在程序里利用变量去读，这样才是准确的，调试环境中看到的未必是真实的。
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