关于非总线复用的问题

在STM32的FSMC相关技术资料文档中，都提及到了非总线复用的问题，The IS61WV51216BLL memory is a nonmultiplexed, asynchronous, 16-bit memory.我现在选用的IS61WV20488BLL的SRAM，按照技术文档应该设置为非总线复用，但是设置为非总线复用会不会影响我在这上面挂靠的NAND FLASH芯片的读写呢？
其实我最想知道的是什么叫做非总线复用(nonmultiplexed)。

设置为非总线复用不会影响我在这上面挂靠的NAND FLASH芯片的读写。

非总线复用(nonmultiplexed)模式是相对于总线复用模式，而总线复用模式表示数据与地址共用信号线，非总线复用模式则是数据与地址分别使用独立的信号线。

详细内容请参考微机接口原理的相关资料。

                                 刚刚查看技术资料看明白了，都怪之前没好好看技术资料！又或许是最近忙晕了，谢谢香版主了。

                                 所谓非总线复用就是数据线和地址线分开传输

                                 字面意思已经很明确了