STM32的FLASH可以模拟为EEPROM么？

jlizheng 2008-8-4 22:14 楼主

请问，STM32的FLASH可以模拟为EEPROM么？

回复评论（17）

不是可以不可以的问题，关键是如何模拟

能说说你打算做？

点赞 2008-8-4 22:25

楼主的意思应该是：

把一部分没用到的代码flash空间，作为保存数据之用？

点赞 2008-8-5 09:15

哈哈~~~其实就是要求FLASH在应用可编程（IAP）

点赞 2008-8-5 10:22

请到ST的网站上去下载应用注释---AN2594

请到ST的网站上去下载应用注释---AN2594，还包括例程。

点赞 2008-8-5 11:31

也想知道具体怎么用,看过没看透

比如说需要保存32字节的参数,怎么实现任意修改某个字节的参数呢

1.写之前有哪些操作要做,需要先将整个32字节读出,修改->擦除->写入
(以前用过DATAFLASH模拟EEPROM用)
2.读任意某个字节参数,怎么实现啊

点赞 2008-8-15 17:15

STM32的FLASH可以模拟为EEPROM，基本原理很简单

我们都知道Flash的最小擦除单位(页)一般都比EEPROM大很多，STM32中等容量(32KB~128KB)产品的最小擦除单位为1KB，STM32大容量(256KB~512KB)产品的最小擦除单位为2KB，因此使用Flash保存数据不能像EEPROM那样能够轻易地进行修改和擦除操作。

AN2594中介绍的基本思想是分配一个或多个页面，然后把每个页看成一个数组，数组中每个元素的大小就是你要保存数据的长度，每次需要修改数据时则写入新的数组元素中，而每次需要读出时始终读数组中最后一个有效的元素；当一页写满之后，从另一个新的页面继续，同时擦除前面一个写满的页面。

这个过程很简单，每次需要读写操作时，只需使用一个小的子函数调用即可。

以32个字节的数据为例，STM32中等容量产品，每页1KB可以容纳32个32字节的元素，这样每更改32次数据需要做一次换页和页擦除的操作。

点赞 2008-8-15 18:32

8楼 bigproblem

做这个要考虑品的寿命先,

flash好像只能写10000次

点赞 2008-8-15 19:08

9楼 lzscws

不错，用FLASH模拟EEPROM肯定不如真正的EEPROM

但可以很简单地计算一下，按照6楼的32个字节操作，使用2个页交替使用，需要写64次32个字节，这两个页才会轮回一次，这样总体10000次的擦写，可以对这32字节操作64万次；假设每天写100次，一个芯片可以使用超过17年，如果你认为这个时间太短，只好使用真正的EEPROM了。

点赞 2008-8-15 22:31

10楼 rumeng87

对于偶尔来点小存储的系统，直接iap就得了

简单，容易理解，快啊。当然反面的东西也是有的

点赞 2008-8-16 08:58

11楼 xiaopeng

寿命不成问题,有些产品只有少量的系统参数,一年都修改不了

谢谢斑竹!
这里不是很明白:
1.假如用2页来保存32字节的数据,也就是看作是32字节的数组,如果要修改其中任一元素,那怎样才能读出全部的32字节数据呢?(每次需要读出时始终读数组中最后一个有效的元素)
2.如果32字节的数据在第1页,修改时要先将第一页写满(实现擦除操作),再将
第2页写满后才能回到第1页执行写操作吗?
3.能否列个简单流程(1.读任意某个元素; 2.单次修改任意某个元素)

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AN2594中介绍的基本思想是分配一个或多个页面，然后把每个页看成一个数组，数组中每个元素的大小就是你要保存数据的长度，每次需要修改数据时则写入新的数组元素中，而每次需要读出时始终读数组中最后一个有效的元素；当一页写满之后，从另一个新的页面继续，同时擦除前面一个写满的页面。

这个过程很简单，每次需要读写操作时，只需使用一个小的子函数调用即可。

点赞 2008-8-16 10:50

12楼 lnasliu

作废旧的数据

以一个2字节数据为例：

第一次：value = 0x1234；把value写入数组的第1个位置
修改后 value = 0x2345; 把新的value写入数组的第2个位置，第1个位置数据作废
再次修改 value = 0x3456; 新的value写入数组的第3个位置，第2个位置数据作废

如果现在要读出value的数值，因为数组中最后一个有效数据在第3个位置，所以读出的结果为0x3456。

依此类推~~~~~~~~~~~

点赞 2008-8-16 10:58