集成电路设计（2）

    对于MOS管必须掌握的几个公式和参数：

    大信号公式：

    漏极电流：

   

    这个公式要分段讨论。

    当VDS<VGS-Vt时，也就是MOS管工作在电阻区时，这个公式适用。

    当VDS>=VGS-Vt时，也就是MOS管工作在饱和区时，将VDS用VGS-Vt代替即可。变为：

     

    由此可知，MOS这个工作区，其电流大小与VDS基本无关。

    其中μ是载体的迁移率，NMOS是电子导电，PMOS是空穴导电，电子迁移率是空穴迁移率的3倍，所以同样宽长比的NMOS和PMOS，当VGS一样时，PMOS的电流驱动能力约是NMOS三分之一。换句话说，当要达到同样的驱动能力，电路工程师在设计输出管时，PMOS管的宽长比要比NMOS大3倍左右。