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[讨论] 关于单端反激式变压器的三个设计公式
fighting
2006-7-17 10:18
楼主
关于单端反激式变压器的三个设计公式
Three design dormulas of flyback transformer
摘 要: 对三个设计公式的不同表述形式,进行分析和必要的推导,弄清其关系及正确与否。
关键词: 初级(临界)电感 磁芯气隙 初级绕组 设计公式
设计变压器离不开公式,有时发现几本著作的表述不完全一样。这就使一些刚入门的设计人员,无所适从,摸不着头脑。不同的表述,有的是所采用的参数不同,实际结果是一样的。但是,也有却是错的,不宜采用。
现在,就以本人手头的三本书中,关于开关电源单端反激式变压器的三个主要的设计公式:求初级(临界)电感、计算磁心气隙和求初级绕组匝数,对它们的不同表述进行分析和必要的推导。
这三本书为:《电子变压器手册》、《现代高频开关电源实用技术》和《 集成开关电源的设计制作调试与维修》。(以下分别简写为<手册>、<技术>和<制作>。)
第一组公式:求初级(临界)电感
① <手册>p.387.
② <技术>p.76.
③<制作>p.108.
第二组公式:计算磁心气隙
④ <手册>p.388.
⑤ <技术>p.75.
⑥<技术>p.75.
⑦<制作>p.109.
第三组公式:求初级绕组匝数
⑧<手册>p.389.
⑨<技术>p.77.
⑩<制作>p.109.
由于对各参数的单位进行了统一,上列各公式与原文相比作了一些变动。
各参数的单位如下:Up1、Up2、E、Vi、Vo-V,T-μs,P-W,B-Gs,RL-Ω, g-cm,Ip-A,AL--nH/N2,Lp-μH。
公式中参数关系有:n=ETon/VoToff,E=Vi=Up1,Vo=Up2。其中E、Vi、Up1指输入直流电压减去电路压降。
公式计算均忽略了变压器效率。
现在,先对第一组公式进行分析和推导。
根据
可以得到:
(1-1)
根据2PoT=LpIp2可以得到:
,(1-2)
由(1--1) 可知:
LpIp=ViδT=ViTon, (1-3)
由(1--2)和(1--3)可以得到:
,(1-4)
将 (1--4)代入(1--1):
,(1-5)
用E、D取代Vi、δ即为公式②右端。
将Po=Vo2/RL代入(1--5)于是有:
分子分母均乘以T得到:
(1-6)
用E取代Vi即为公式②中部。
比较①、②两式,可以发现,只要证明
就说明两公式一致。
Up1、Up2分别用E、Vo代替。将n=ETon/VoToff代入:
。
第二组公式中,可以明显看出④与⑦两式中,必有一个是错的。分子一样而分母中一为ΔBm,一为 Bm2。
在⑥式的括号中:
与
两者是有区别的。否则两者相减就等于0。
AL是指磁心无气隙时的电感系数,而Lp则为有气隙时的电感值。
磁心开气隙后的磁路有效长度
e=
c+μ r
ɡ (2-1)
c 磁心磁路长度, μ r 相对磁导率。
将(2--1)移项后,可以得到:
μ r
ɡ=
e-
c 再移项后,可以得到
,(2-2)
,(2-3)
将(2--3)移项后,可以得到:
,(2-4)
将(2--4)代入(2--2)后,可以得到:
。 (2-5)
μo 用0.4取代,不考虑系数此式与⑤式完全一致。
(2--3)为有气隙时的电感系数的公式。于是有无气隙时的电感系数的公式:
,(2-6)
将(2--6)移项后,可以得到:
,(2-7)
将 (2--4)与(2--7)代入(2--2)有:
,
提出公共因子 μo Ae,
。 (2-8)
μo 用0.4取代,不考虑系数此式与⑥式完全一致。
Bm=μo μ r H=μo μ r NI/e, (2-9)
将
代入(2--9)后,可以得到:
, (2-10)
将(2--9)与(2--10)相乘,得到
, (2-11)
将(2--11)移项后,可以得到
, (2-12)
将 (2--12)代入(2--2)有:
, (2-13)
μo 用0.4取代,不考虑系数此式与⑦式相差一个
。
实际上⑦式将它省略了。
最后结果是⑤、⑥、⑦三式是一致的。而④式则是错了。
第三组公式中,可以看出⑨与⑩两式,实际上是一致的。问题在于⑧同⑨、⑩是否相同。
将(2--10)移项后,可以得到:
, (3-1)
(3--1)与⑨、⑩两式是一致的。
将(2--9)移项后,可以得到:
, (3-2)
将(2--2)移项后,可以得到
将它代入(3--2)
,(3-3)
μo 用0.4取代,不考虑系数此式与⑧式相差一个
。
⑧式将它省略了。
由于(2--9)=(2--10),因此⑧、⑨、⑩三式是一致的。
从三组10个公式中,推荐采用③、⑤、⑩。
设计举例:Po=100W,E=300V,δ=0.4,fsw=50kHz,T=20μs。Vo=20V,Io=5A。
1.计算LpIp2:
LpIp2=2PoT=2×100×20=4000Vμs。
2.计算LpIp:
LpIp=ViTon=(300-20)×04× 20=2240 Vμs。
20V为电路压降。
3.计算Ip:
A 。
4.计算Lp:
H 。
5.选择磁心:
此公式适用条件:Bm-Gs,fsw-Hz,J-400A/cm2,δ-0.4,η-0.8。
请参考《国际电子变压器》2003.5.p.70.《高频变压器设计时选择磁芯的两种方法》。
EI35磁心的WaAe为1.31cm4,因此,选用它就可以了。该磁心有:Ae=1.01cm2,lc=6.71cm,μr=2100。
6. 求初级绕组匝数:
7.求磁芯气隙长度:
8.求次级绕组匝数:
参考文献
[1]电子变压器手册
[2]现代高频开关电源实用技术
[3]集成开关电源的设计制作调试与维修
[4]高频变压器设计时选择磁芯的两种方法--《国际电子变压器》2003.5.p.70.
文章作者:
黄永富
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回复评论 (1)
沙发
SHILIAN
Re: 关于单端反激式变压器的三个设计公式
路过 看不懂哦.
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2006-7-17 13:34
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