EEPROM与FLASH不同
EEPROM支持字节擦除,写周期长(5ms/10ms),擦写数据时电流比FLASH大,FLASH擦写速度快(us级),缺点是只支持块擦除.因为FLASH块的源极是连在一起的,在源极上加高电平作擦除操作时整个一块FLASH被擦除,所以430用许多FLASH块作存储器.
谢谢3qxj
有一个功耗问题
进行写操作时,那种功耗比较小
flash的功耗小
flash的功耗小,当然现今有铁电存储器,无论是写的速度,还是写的电流都是当前非易失存储器中最好的,而且它支持字节擦除.
确实很矛盾。flash操作方便,功耗低时间短,但是块操作很不方便,也会产生操作不当时丢失数据的现象。而e2rom的功耗和时间有让人受不了。怎么办!!??