2006年十大热门微处理器和存储器新品评析

可用性排名：5

　　Intel的90nm MLC NOR闪存可达1Gb存储密度

　　编辑推荐：Intel公司推出的第五代StrataFlash多级单元(MLC)闪存产品M18是首个实现量产的1.8V、90nm NOR器件。M18主要面向手持设备市场，提供256Mbit、512Mbit单片容量，并可采用Intel的芯片级封装(CSP)成为1Gb芯片，其引脚支持共享和分割总线架构下的PSRAM和SDRAM，读取速度高达133MHz，写入速度达0.5MB/s，同时该产品还支持3MP相机与MPEG4视频。

　　读者评论：

1、读取速度不错，不过写速太慢，在不了解价格信息的情况下难以估计其可用性。

2、很好啊。

3、如果明天又听说另一款闪存更好的话就很难让人激动了。不过这款闪存听起来还是不错的。

可用性排名：6

　　SST的磁盘控制器支持大容量存储系统的NAND闪存

　　编辑推荐：Silicon Storage Technology(SST)公司的SST55LC100 CompactFlash NAND闪盘控制器可使设计人员建立基于标准NAND闪存的大容量存储系统。该控制器嵌入了SuperFlash技术，能通过对嵌入的闪存编程改变其固件以支持最新的NAND闪存组件，而传统基于掩膜ROM的控制器则需要改变掩膜程序才能集成新型NAND设备。

　　读者评论：

1、如果采用太多存储单元的话支持图像的架构可能存在瓶颈，怎样的内存管理才能实现数据组织以提高吞吐量。采用多单元的方式，如何解决这个问题呢?

2、值得关注。

3、对我们信号处理的需求来说，该产品意义重大。

可用性排名：7

　　Keil发布新版8051 MCU工具

　　编辑推荐：Keil Software推出的uVision3集成开发环境(IDE)在其PK51和其它开发套件中提供了一个重要组件，覆盖了8051 MCU的所有产品。除增加了源代码描述、函数向导、模板编辑和搜索功能外，该IDE还集成了Keil的C51 Version 8编译器。此外，uVision3还提供了配置向导，可缩短生成启动代码与配置文件的时间，同时其内置的仿真器可模拟目标MCU，包括指令集、片上外围接口以及外围信号等。uVision3提供逻辑分析仪，同步显示程序变量随I/O引脚和外围接口的变化。

　　立体声耳机放大器也采用3.3V电源供电，能连续为每个通道提供平均25mW的功率，以驱动立体声的32Ω负载，同时其总谐波失真及噪音仅1%。

　　读者评论：

1、很高兴看到对成熟产品的支持。

2、在市场上具有竞争性，不过还需要进一步降低成本。

3、我们还打算利用以前的8051 MCU代码，或许值得看看。

4、IDE对于dev多数言过其实...常规的实现更值得怀疑，需要大量学习过程。

可用性排名：8

　　三星推出256Mb GDDR4器件

　　编辑推荐：三星电子(Samsung Electronics)正式面向图形卡制造商推出一种图形双倍数据率第四代(GDDR4)256Mb显存器件用于测试。GDDR4存储器件能以2.5Gbps或10GBps的速度处理游戏和视频图像，相当于传输10小时DVD质量的视频。最快的显存速度目前局限在1.6Gbps以内，随着游戏和视频分辨率及所包含内容的增加，图像DRAM数据处理性能需要进一步得到提高。但当数据在图形芯片和本地系统之间进行传送时，其固有的传输延迟限制了传输速率。位实现2.5Gbps的传输率并降低传输延迟，GDDR4器件采用了数据总线倒置(DBI)和Multi-Preamble技术，从而使传输速度较传统图形产品提高了56%。

可用性排名：9

　　Inphi推出小封装、低延迟低功耗的FB-DIMM

　　编辑推荐：Inphi公司的IN581AMB是业界首款含有高速串口与DDR2 SDRAM接口的全缓冲DIMM(FB-DIMM)器件，完全兼容JEDEC AMB规范。IN581AMB可用于提升内存控制器与下一代服务器和通信设备通道模块之间高速、串行、点对点的连接性能。AMB技术是存储器产品的创新性技术，可通过从并行总线到串行总线的方式实现存储器向处理器架构的变迁，使之可以像其它通信系统中的I/O一样应用。

　　读者评论：

1、作为用户而不是设计人员，这种技术对我是透明的。不过人们总是希望这些进展能尽快用于实践。大量的数据文件、CAD文件等等需要随增加的传输率进行交换，这类技术会受到欢迎的。