模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)

此书第14页说：“假设Vgs=Vth时，NMOS衬底反型，那么栅氧化层电容Cox引起的反型电荷密度正比于Vgs减Vth”。我的问题是：为什么反型电荷密度正比于Vgs减Vth，而不是正比于Vgs？

没人？                                          

你这是微电子的知识领域，这里大多数是电子技术、自动控制领域。

其实要说的话书上的结论是正确的，因为VTH相当于是基础，或说是海平面，VGS和VTH的差才决定其输出结果。

另一方面，如果当前还VGS小于VTH，那不管VGS有多么的大，也不会产生沟道，即不会产生反型层。