[讨论] 射极偏置电路的低频小信号等效电路及变换

qinkaiabc   2012-12-19 10:47 楼主

 

图1


图2


图3

放大电路的低频响应主要取决于外接的电容器,如隔直(耦合)电容和射极旁路电容。

要分析电路的低频响应,首先画出它的低频小信号等效电路,如图1所示。

为便于分析对电路作以下作一些合理的近似,使其简化。

1、设 远大于放大电路本身的输入阻抗,以致Rb的影响可以忽略;

2、Ce的值足够大         

于是可除去Re、Rb得简化电路如图2所示。

3、把Ce折算到基极电路,折算后的容抗为

即折算后的电容为

基极回路中的总电容C1

且一般 Ce的作用可忽略。这样可最后的简化电路图3。

 

回复评论 (2)

射极偏置电路低频响应及下限截止频率的确定
射极偏置电路简化后的低频等效电路如图所示。
由图可得
设中频区电压增益为
                                    
因此
                        
式中
                                    

                                 

  如果fL1和fL二者之间的比值在四倍以上,则可取较大的值作为放大电路的下限频率。

点赞  2012-12-19 10:48
共基放大电路的高频响应
根据如图(a)所示的共基电路交流通路,可画出其高频小信号等效电路如图(b)所示。首先,我们来考察BJT电容Cbe和Cbc以及负载电容CL对高频响应的影响。
 
(a) 交流通路
(b) 高频小信号等效电路
一、Cbe的影响
由共基电路高频小信号等效电路可见,如果忽略rbb的影响,则Cbe直接接于输入端,输入电容Ci=Cbe,不存在密勒倍增效应,且与Cbc无关。所以,共基电路的输入电容比共射电路的小得多,fH1很高。理论分析的结果
二、Cbc以及负载电容CL的影响
如果忽略rbb的影响,则Cbc直接接到输出端,也不存在密勒倍增效应。输出端总电容Cb¢c+ CL,输出回路时间常数为 ,该输出回路决定的fH2为
如果 CL较大,则fH2较低。所以说,共基电路与共射电路一样,承受容性负载的能力较差,负载电容CL将成为制约共基电路高频响应的主要因素。而对于纯阻负载,共基电路的高频特性将非常好。
点赞  2012-12-19 10:49
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 京公网安备 11010802033920号
    写回复