第五十三章 串口IAP实验
IAP,即在应用编程。很多单片机都支持这个功能,STM32也不例外。在之前的FLASH模拟EEPROM实验里面,我们学习了STM32的FLASH自编程,本章我们将结合FLASH自编程的知识,通过STM32的串口实现一个简单的IAP功能本章分为如下几个部:
53.1 IAP简介
53.2 硬件设计
53.3 软件设计
53.4 下载验证
53.1 IAP简介 IAP(In Application Programming)即在应用编程,IAP是用户自己的程序在运行过程中对User Flash的部分区域进行烧写,目的是为了在产品发布后可以方便地通过预留的通信口对产品中的固件程序进行更新升级。 通常实现IAP功能时,即用户程序运行中作自身的更新操作,需要在设计固件程序时编写两个项目代码,第一个项目程序不执行正常的功能操作,而只是通过某种通信方式(如USB、USART)接收程序或数据,执行对第二部分代码的更新;第二个项目代码才是真正的功能代码。这两部分项目代码都同时烧录在User Flash中,当芯片上电后,首先是第一个项目代码开始运行,它作如下操作:
1)检查是否需要对第二部分代码进行更新
2)如果不需要更新则转到4)
3)执行更新操作
4)跳转到第二部分代码执行
第一部分代码必须通过其它手段,如JTAG或ISP烧入;第二部分代码可以使用第一部分代码IAP功能烧入,也可以和第一部分代码一起烧入,以后需要程序更新是再通过第一部分IAP代码更新。
我们将第一个项目代码称之为Bootloader程序,第二个项目代码称之为APP程序,他们存放在STM32 FLASH的不同地址范围,一般从最低地址区开始存放Bootloader,紧跟其后的就是APP程序(注意,如果FLASH容量足够,是可以设计很多APP程序的,本章我们只讨论一个APP程序的情况)。这样我们就是要实现2个程序:Bootloader和APP。
STM32的APP程序不仅可以放到FLASH里面运行,也可以放到SRAM里面运行,本章,我们将制作两个APP,一个用于FLASH运行,一个用于SRAM运行。
我们先来看看STM32正常的程序运行流程,如图53.1.1所示:
图53.1.1 STM32正常运行流程图
STM32的内部闪存(FLASH)地址起始于0x08000000,一般情况下,程序文件就从此地址开始写入。此外STM32是基于Cortex-M3内核的微控制器,其内部通过一张“中断向量表”来响应中断,程序启动后,将首先从“中断向量表”取出复位中断向量执行复位中断程序完成启动,而这张“中断向量表”的起始地址是0x08000004,当中断来临,STM32的内部硬件机制亦会自动将PC指针定位到“中断向量表”处,并根据中断源取出对应的中断向量执行中断服务程序。
在图53.1.1中,STM32在复位后,先从0X08000004地址取出复位中断向量的地址,并跳转到复位中断服务程序,如图标号①所示;在复位中断服务程序执行完之后,会跳转到我们的main函数,如图标号②所示;而我们的main函数一般都是一个死循环,在main函数执行过程中,如果收到中断请求(发生重中断),此时STM32强制将PC指针指回中断向量表处,如图标号③所示;然后,根据中断源进入相应的中断服务程序,如图标号④所示;在执行完中断服务程序以后,程序再次返回main函数执行,如图标号⑤所示。
当加入IAP程序之后,程序运行流程如图53.1.2所示:
图53.1.2 加入IAP之后程序运行流程图
在图53.1.2所示流程中,STM32复位后,还是从0X08000004地址取出复位中断向量的地址,并跳转到复位中断服务程序,在运行完复位中断服务程序之后跳转到IAP的main函数,如图标号①所示,此部分同图53.1.1一样;在执行完IAP以后(即将新的APP代码写入STM32的FLASH,灰底部分。新程序的复位中断向量起始地址为0X08000004+N+M),跳转至新写入程序的复位向量表,取出新程序的复位中断向量的地址,并跳转执行新程序的复位中断服务程序,随后跳转至新程序的main函数,如图标号②和③所示,同样main函数为一个死循环,并且注意到此时STM32的FLASH,在不同位置上,共有两个中断向量表。
在main函数执行过程中,如果CPU得到一个中断请求,PC指针仍强制跳转到地址0X08000004中断向量表处,而不是新程序的中断向量表,如图标号④所示;程序再根据我们设置的中断向量表偏移量,跳转到对应中断源新的中断服务程序中,如图标号⑤所示;在执行完中断服务程序后,程序返回main函数继续运行,如图标号⑥所示。
通过以上两个过程的分析,我们知道IAP程序必须满足两个要求:
1) 新程序必须在IAP程序之后的某个偏移量为x的地址开始;
2) 必须将新程序的中断向量表相应的移动,移动的偏移量为x;
本章,我们有2个APP程序,一个为FLASH的APP,另外一个位SRAM的APP,图53.1.2虽然是针对FLASH APP来说的,但是在SRAM里面运行的过程和FLASH基本一致,只是需要设置向量表的地址为SRAM的地址。
1.APP程序起始地址设置方法
随便打开一个之前的实例工程,点击Options for TargetàTarget选项卡,如图53.1.3所示:
图53.1.3 FLASH APP Target选项卡设置
默认的条件下,图中IROM1的起始地址(Start)一般为0X08000000,大小(Size)为0X80000,即从0X08000000开始的512K空间为我们的程序存储区。而图中,我们设置起始地址(Start)为0X08005000,即偏移量为0X5000(20K字节),因而,留给APP用的FLASH空间(Size)只有0X80000-0X5000=0X7B000(480K字节)大小了。设置好Start和Szie,就完成APP程序的起始地址设置。
这里的20K
字节,需要大家根据Bootloader
程序大小进行选择,比如我们本章的Bootloader
程序为18K
左右,理论上我们只需要确保APP
起始地址在Bootloader
之后,并且偏移量为0X200
的倍数即可(相关知识,请参考:http://www.openedv.com/posts/list/392.htm)。这里我们选择20K
(0X5000
)字节,留了一些余量,方便Bootloader
以后的升级修改。 这是针对FLASH APP的起始地址设置,如果是SRAM APP,那么起始地址设置如图53.1.4所示:
图53.1.4 SRAM APP Target选项卡设置
这里我们将IROM1的起始地址(Start)定义为:0X20001000,大小为0XA000(40K字节),即从地址0X20000000偏移0X1000开始,存放APP代码。因为整个STM32F103ZET6的SRAM大小为64K字节,所以IRAM1(SRAM)的起始地址变为0X2000B000,大小只有0X5000(20K字节)。这样,整个STM32F103ZET6的SRAM分配情况为:最开始的4K给Bootloader程序使用,随后的40K存放APP程序,最后20K,用作APP程序的内存。这个分配关系大家可以根据自己的实际情况修改,不一定和我们这里的设置一模一样,不过也需要注意,保证偏移量为0X200的倍数(我们这里为0X1000)。
2.中断向量表的偏移量设置方法
此步,我们通过修改sys.c里面的MYRCC_DeInit函数实现,该函数代码如下:
void MYRCC_DeInit(void)
{
RCC->APB1RSTR = 0x00000000;//复位结束
RCC->APB2RSTR = 0x00000000;
RCC->AHBENR = 0x00000014; //睡眠模式闪存和SRAM时钟使能.其他关闭.
RCC->APB2ENR = 0x00000000; //外设时钟关闭.
RCC->APB1ENR = 0x00000000;
RCC->CR |= 0x00000001; //使能内部高速时钟HSION
RCC->CFGR &= 0xF8FF0000;
//复位SW[1:0],HPRE[3:0],PPRE1[2:0],PPRE2[2:0],ADCPRE[1:0],MCO[2:0]
RCC->CR &= 0xFEF6FFFF; //复位HSEON,CSSON,PLLON
RCC->CR &= 0xFFFBFFFF; //复位HSEBYP
RCC->CFGR &= 0xFF80FFFF;//复位PLLSRC, PLLXTPRE, PLLMUL[3:0] and USBPRE
RCC->CIR = 0x00000000; //关闭所有中断
//配置向量表
#ifdef VECT_TAB_RAM
MY_NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_RAM, 0x0);
#else
MY_NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH,0);
#endif
}
该函数我们只需要修改最后两行代码,默认的情况下VECT_TAB_RAM是没有定义的,所以执行:MY_NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH,0);这是正常情况的向量表偏移量(为0),本章,我们修改这句代码为:MY_NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH,0X5000);偏移量为0X5000。其中NVIC_VectTab_RAM和NVIC_VectTab_FLASH是在stm32f10x_nvic.h里面定义的两个宏定义,代表RAM和FLASH的起始地址。
以上是FLASH APP的情况,当使用SRAM APP的时候,我们需要定义VECT_TAB_RAM,点击Options for TargetàC/C++选项卡,在Preprocessor Symblols栏定义:VECT_TAB_RAM,如图54.1.5所示:
图53.1.5 SRAM APP C/C++选项卡设置
通过这个设置,我们定义VECT_TAB_RAM,故在执行MYRCC_DeInit函数的时候,会执行MY_NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_RAM, 0x0); 这里的0X0是默认的设置,本章我们修改此句代码为:MY_NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_SRAM,0X1000);即设置偏移量为0X1000。
这样,我们就完成了中断向量表偏移量的设置。
通过以上两个步骤的设置,我们就可以生成APP程序了,只要APP程序的FLASH和SRAM大小不超过我们的设置即可。不过MDK默认生成的文件是.hex文件,并不方便我们用作IAP更新,我们希望生成的文件是.bin文件,这样可以方便进行IAP升级(至于为什么,请大家自行百度HEX和BIN文件的区别!)。这里我们通过MDK自带的格式转换工具fromelf.exe,来实现.axf文件到.bin文件的转换。该工具在MDK的安装目录\ARM\BIN40文件夹里面。
fromelf.exe转换工具的语法格式为:fromelf [options] input_file。其中options有很多选项可以设置,详细使用请参考光盘《mdk如何生成bin文件.pdf》.
本章,我们通过在MDK点击Options for TargetàUser选项卡,在Run User Programs After Build/Rebuild 栏,勾选Run#1和DOS16,并写入:D:\Keil3.80a\ARM\BIN40\fromelf.exe --bin -o ..\OBJ\TEST.bin ..\OBJ\TEST.axf ,如图53.1.6所示:
通过这一步设置,我们就可以在MDK编译成功之后,调用fromelf.exe(注意,我的MDK是安装在D:\Keil3.80A文件夹下,如果你是安装在其他目录,请根据你自己的目录修改fromelf.exe的路径),根据当前工程的TEST.axf,生成一个TEST.bin的文件。并存放在axf文件相同的目录下,即工程的OBJ文件夹里面。在得到.bin文件之后,我们只需要将这个bin文件传送给单片机,即可执行IAP升级。
最后再来看看APP程序的生成步骤:
1) 设置APP程序的起始地址和存储空间大小
对于在FLASH里面运行的APP程序,我们只需要设置APP程序的起始地址,和存储空间大小即可。而对于在SRAM里面运行的APP程序,我们还需要设置SRAM的起始地址和大小。无论哪种APP程序,都需要确保APP程序的大小和所占SRAM大小不超过我们的设置范围。
2) 设置中断向量表偏移量
此步,通过在MYRCC_DeInit函数里面调用MY_NVIC_SetVectorTable函数,实现对中断向量表偏移量的设置。这个偏移量的大小,其实就等于程序起始地址相对于0X08000000或者0X20000000的偏移。对于SRAM APP程序,我们还需要在C/C++选项卡定义VECT_TAB_RAM,以申明中断向量表是在SRAM里面。
3) 设置编译后运行fromelf.exe,生成.bin文件.
通过在User选项卡,设置编译后调用fromelf.exe,根据.axf文件生成.bin文件,用于IAP更新。
以上3个步骤,我们就可以得到一个.bin的APP程序,通过Bootlader程序即可实现更新。
53.2 硬件设计 本章实验(Bootloader部分)功能简介:开机的时候先显示提示信息,然后等待串口输入接收APP程序(无校验,一次性接收),在串口接收到APP程序之后,即可执行IAP。如果是SRAM APP,通过按下KEY0即可执行这个收到的SRAM APP程序。如果是FLASH APP,则需要先按下WK_UP按键,将串口接收到的APP程序存放到STM32的FLASH,之后再按KEY2既可以执行这个FLASH APP程序。通过KEY1按键,可以手动清除串口接收到的APP程序。DS0用于指示程序运行状态。
本实验用到的资源如下:
1) 指示灯DS0
2) 四个按键(KEY0/KEY1/KEY2/WK_UP)
3) 串口
4) TFTLCD模块
这些用到的硬件,我们在之前都已经介绍过,这里就不再介绍了。
53.3 软件设计 本章,我们总共需要3个程序:1,Bootloader;2,FLASH APP;3)SRAM APP;其中,我们选择之前做过的RTC实验(在第二十章介绍)来做为FLASH APP程序(起始地址为0X08005000),选择触摸屏实验(在第三十一章介绍)来做SRAM APP程序(起始地址为0X20001000)。Bootloader则是通过TFTLCD显示实验(在第十八章介绍)修改得来。本章,关于SRAM APP和FLASH APP的生成比较简单,我们就不细说,请大家结合光盘源码,以及53.1节的介绍,自行理解。本章软件设计仅针对Bootloader程序。
复制第十八章的工程(即实验13),作为本章的工程模版(命名为:IAP Bootloader V1.0),并复制第三十九章实验(FLASH模拟EEPROM实验)的STMFLASH文件夹到本工程的HARDWARE文件夹下,打开本实验工程,并将STMFLASH文件夹内的stmflash.c加入到HARDWARE组下,同时将STMFLASH加入头文件包含路径。
在HARDWARE文件夹所在的文件夹下新建一个IAP的文件夹,并在该文件夹下新建iap.c和iap.h两个文件。然后在工程里面新建一个IAP的组,将iap.c加入到该组下面。最后,将IAP文件夹加入头文件包含路径。
打开iap.c,输入如下代码:
#include "sys.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"
#include "stmflash.h"
#include "iap.h"
iapfun jump2app;
u16 iapbuf[1024];
//appxaddr:应用程序的起始地址
//appbuf:应用程序CODE.
//appsize:应用程序大小(字节).
void iap_write_appbin(u32 appxaddr,u8 *appbuf,u32 appsize)
{
u16 t;
u16 i=0;
u16 temp;
u32 fwaddr=appxaddr;//当前写入的地址
u8 *dfu=appbuf;