如图所示电路:
1、电路的工作原理是什么?
2、电路工作时,三极管Q1的表面温度达到115度,不知为什么?
3、对于Q1温度高的问题,从Q1的选型或是电路方面改进怎么解决?
首先,D4不能那么接,毫无意义,电压过高时反而会烧毁D4。Q1和D3构成串联稳压电源,Q1是射随器,基极电压被D3钳位稳定,发射极电位对于PNP硅管恒定高于基极电位约0.7V。Q1的功耗由输入输出压差和电流决定,想降低其功耗就降低输入电压。
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实际中Q1用的是647,温度很高。以您的分析以下两种方案是否可行:
1)在Q1的集电极串一个电阻。
2)加大R1的阻值。
抑或是应该从Q1的选型着手?
电路的好坏与合理主要是带载能力吧,想带多大负载,负载需要几V电压多大电流,,
串电阻当然可以,必须在C1之前串,但会带来动态调整率下降的问题,要求不高当然可以。Q1的选型与其功耗无关,大功率管只是能够承受更大耗散功率不至于被烧毁而已。
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回复 4楼 光电未来 的帖子
这个是并联稳压电路,建议楼主去重新学习电子技术基础模拟部分关于晶体管基于原理的部分,显然,你连最基本的概念都未建立,而晶体管电路是现今一切电子技术的基础,必须掌握。
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若将C1后面的线性稳压部分改成DC/DC,发热就能大大减轻了。
1、D4应该为TVS之类的东西,起过压保护作用。否则,就别用它。
2、楼主位的电路,是线性电源,它的功耗大是必然的。处理这个问题,要:
----- 在稳压范围内(即三极管不饱和)
(1)、降低输入电压,即降低桥式整流的输出电压;
(2)、将三极管之C极串一电阻
(3)、改用更大功率的三极管,或将它加个散热器。
3、采用8楼建议,