[原创] 富士通FRAM心得提交——应用笔记

elej   2013-12-20 10:39 楼主
与传统的非易失性存储器EEPROM和闪存相比,富士通的FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。
FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此,与EEPROM和闪存相比,FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时,EEPROM需要高压,因此,消费的功率比FRAM更多。在手持设备中如果嵌入FRAM,那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
此外,FRAM具有下列优势:
  • 能够在电源中断的瞬间备份数据
  • 能够进行频繁的数据记录
  • 能够保证更长的电池寿命

我们是在太阳能充电控制器中替换EEPROM使用,为彻底清楚&使用使用富士通铁电存储器,我特做一个小的测试版,同时写了几篇应用笔记,与各位朋友分享探讨。接下来,我会在测试版上加上Modbus与上位机通信,方便测试
富士通铁电存储器。

富士通MB85RC64铁电存储器应用笔记


富士通MB85RC64铁电存储器应用笔记-1.jpg
示例说明-7.jpg
示例说明-14.jpg
源代码



[ 本帖最后由 elej 于 2013-12-20 10:55 编辑 ]

回复评论 (8)

谢谢楼主分享 :)
加油!在电子行业默默贡献自己的力量!:)
点赞  2014-8-8 15:53
这么好的贴子我怎么才发现呢
这么好的贴子管理员怎么不加精呢?
虾扯蛋,蛋扯虾,虾扯蛋扯虾
点赞  2014-8-8 16:24
源代码不能下载了,谁能解决一下?
点赞  2014-8-9 17:03
源码、笔记都不能下载啊
点赞  2015-1-23 14:05
多谢分享
点赞  2015-1-27 13:49
好资源,真心好楼主,学习学习,真心希望电子工程世界这个论坛越来越好,希望大家都能来支持楼主
点赞  2015-6-13 16:45
源代码不能下载
点赞  2015-6-17 10:51
不错
点赞  2016-8-15 22:07
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