运放内部的噪声这一章给出了5条经验原则：
1.宽带电压噪声对于半导体工艺变化非常不敏感；
2.运放噪声随温度的增加而增加；
3.1/f噪声（闪烁噪声）高度依赖制作工艺
4.板级和系统级设计者们需要认识到运放电源静态电流和宽带噪声成反比
5.场效应管运放具有天生的低电流噪声
跳跃噪声是双极性晶体管基极电流的突变或跳变，或者FET晶体管门限电压的跳变，它是由于电荷陷阱或是半导体材料中的细微缺陷导致的。在双极性晶体管中，跳跃噪声表现为基极电流的跳变，MOSFET晶体管中的跳跃噪声表现为门限电压的跳变。
文章中给出了电压跳跃噪声的平台测试盒产品测试，虽然这些测试对应用的工程师来说基本上不会接触到，但是测试的方法和搭建平台考虑到的种种因素还是和值得借鉴的。
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:46 编辑
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