针对汇报6中提出的问题，经过试验验证，没有达到预期的情况。
1.原代码采用H-PWM-L-ON的方式进行MOSFETS控制，改成H-ON-L-PWM的方式进行控制，波形仍然和原来一样。
低速的时候波形基本正常
转速提高后波形失真。
2.有关MOSFETs的开启关闭做了一下测试：
一个是MCU输出的控制信号，一个是MOSFET的控制引脚，时间差在允许范围内。
下桥臂的PWM控制，MCU的控制和MOSFET的控制引脚开启关闭之间基本一致。
这个是相邻的MOSFETS之间的开启时序
从放大的波形图上可以看到也是正常开启的。
结论：经过实际验证，目前出现的波形与MOSFET开关延时无关，与控制逻辑也没有关系。
又查了一些资料，有关退磁的过程，有的文章说给断电的相施加反向电压，可以加快退磁的过程。
理论上应该没有问题，实际操作过程汇总，施加反向电压的时间控制是个谜。
小小的一个电调，简单的电路，调试起来一点都不简单
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