[讨论] boost升压问题

dlcnight   2015-10-14 19:10 楼主
右端的boost_pwm口输出的是单片机控制的30hz,占空比2/3的pwm信号,mos管是bs107a,输入电压是5v,实测升到了100v,mos管d级电压如图,为什么mos管的占空比会变这么低,怎么升到100v的
  • 电路
  • mos管d级电压

回复评论 (18)

33khz,我打错了哈
点赞  2015-10-14 19:11

boost_pwm口是33khz,占空比2/3的pwm信号,高电平是3.3v
点赞  2015-10-14 19:12
第二幅脉冲波形图,电位为高是MOS管关断,不是导通。
你的MOS管占空比未必很低。
点赞  2015-10-14 19:24
不带负载的情况下,boost电路pwm导通时电荷无处卸放  会在电容上一直累积,达到100V也不奇怪   如果左边的mos管一直处于开通状态  有负载情况可能会正常  不知道左边电路是干嘛的
点赞  2015-10-15 08:38
引用: maychang 发表于 2015-10-14 19:24
第二幅脉冲波形图,电位为高是MOS管关断,不是导通。
你的MOS管占空比未必很低。

是导通时间占总周期的0.95左右了,造成这种现象的原因是什么呢?我给的信号占空比只有2/3啊
点赞  2015-10-15 15:27
引用: buer1209 发表于 2015-10-15 08:38
不带负载的情况下,boost电路pwm导通时电荷无处卸放  会在电容上一直累积,达到100V也不奇怪   如果左边的m ...

我是想问为什么mos管导通时间会变的这么大?我给的信号占空比只有2/3啊
点赞  2015-10-15 15:28
引用: dlcnight 发表于 2015-10-15 15:28
我是想问为什么mos管导通时间会变的这么大?我给的信号占空比只有2/3啊

你看到的脉冲宽度,未必是MOS管关断的宽度。
你的电感好像只有10uH,MOS管导通时,直流电源Vcc使电感中电流线性增加。MOS管关断,电感作为电源与Vcc叠加,经二极管对电容C2充电,示波器上看就是脉冲的平顶。但电感储能有限,电感对电容充电,电感中储存能量释放完毕后就不再向电容充电,电感两端电压为零,电感中电流不变化,此时即使MOS关断,两端电压不过是Vcc(示波器上看仅1/10刻度,很容易看成零)。因此脉冲下降后,你的MOS管未必导通,很可能仍然处于关断状态,所以不能判断你的MOS管占空比增加到了0.95。

下次发帖,电原理图务必不要留那么多空白,元件排紧凑些,否则元件数值等等文字看不清楚。
点赞  2015-10-15 19:20
引用: maychang 发表于 2015-10-15 19:20
你看到的脉冲宽度,未必是MOS管关断的宽度。
你的电感好像只有10uH,MOS管导通时,直流电源Vcc使电感中 ...

我测了一下,mos管确实开关时间比为2:1,可以看到mos管关断后电感电压先迅速上升后迅速下降,这时电感里面的电流基本不再变化,负压的形成可能是二极管的反向漏电流所致。
  • mos管开关时间
点赞  2015-10-15 19:55
引用: maychang 发表于 2015-10-15 19:20
你看到的脉冲宽度,未必是MOS管关断的宽度。
你的电感好像只有10uH,MOS管导通时,直流电源Vcc使电感中 ...

关键问题在于,既然开关时间比为2:1,那么boost升压为何能升到100多v,boost升压的vo:vi=1/(1-D),D即为占空比
点赞  2015-10-15 19:57
引用: maychang 发表于 2015-10-15 19:20
你看到的脉冲宽度,未必是MOS管关断的宽度。
你的电感好像只有10uH,MOS管导通时,直流电源Vcc使电感中 ...

补一张二通道图,验证下说法。
我点开原理图看很大啊,这还看不清。。。。
  • QQ图片20151015160736.jpg
点赞  2015-10-15 20:01
引用: dlcnight 发表于 2015-10-15 19:57
关键问题在于,既然开关时间比为2:1,那么boost升压为何能升到100多v,boost升压的vo:vi=1/(1-D),D即为 ...

此公式应用是有条件的。此处不满足条件,所以公式不能成立。
至于什么条件,自己查书。
点赞  2015-10-16 00:30
引用: dlcnight 发表于 2015-10-15 20:01
补一张二通道图,验证下说法。
我点开原理图看很大啊,这还看不清。。。。

我没有说波形图,说的是电原理图

看来,你连我的回复也没有看清楚。
点赞  2015-10-16 00:32
引用: maychang 发表于 2015-10-16 00:32
我没有说波形图,说的是电原理图。

看来,你连我的回复也没有看清楚。

我是说原理图啊,点开好大的,我查了n多资料了,未发现占空比2/3能升到100v的原理,不然我还问啥啊。。。
点赞  2015-10-16 10:45
引用: maychang 发表于 2015-10-16 00:32
我没有说波形图,说的是电原理图。

看来,你连我的回复也没有看清楚。

那个波形图我补上去是为了说明我猜测的,不是说不够大我补发的
我说的是原理图点开大,就是第一张
点赞  2015-10-16 10:47
引用: dlcnight 发表于 2015-10-16 10:47
那个波形图我补上去是为了说明我猜测的,不是说不够大我补发的
我说的是原理图点开大,就是第一张


不必纠缠于图是否够大够清晰。
重要的是你弄清楚MOS管导通截止时间比是否与门极驱动高低电平时间比相同,为何MOS管截止却出现漏极电压并不高。进一步,对MOS管耐压要求应该有多高?这对实际设计时选择型号很重要。还有,你贴出的那个公式何时可以使用,何时不可使用?
点赞  2015-10-16 14:39
引用: maychang 发表于 2015-10-16 14:39
不必纠缠于图是否够大够清晰。
重要的是你弄清楚MOS管导通截止时间比是否与门极驱动高低电平时间比相 ...

我是想找相关的理论依据,为什么能升这么高,找不到啊
点赞  2015-10-16 17:24
引用: dlcnight 发表于 2015-10-16 17:24
我是想找相关的理论依据,为什么能升这么高,找不到啊

理论上,若负载电阻无穷大,电压也可以升到无穷大。
当然,实际上不可能,因即使二极管D11拿掉(开路),电感自身也存在分布电容,MOS管也存在漏极到源极、门极和地的分布电容。
“相关的理论依据”,要到《电路分析》相关章节里面找。例如,邱关源《电路 第四版》,第7章“一阶电路”。邱关源《电路 第五版》第7章“一阶和二阶电路的时域分析”。或者其它教材讲一阶电路部分。
点赞  2015-10-16 17:51
你得加负载,加上负载看看还有多少电压?
点赞  2015-10-18 20:50
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