单片机的模拟地线要和电阻的地线接到一起哦
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引用: wudayongnb 发表于 2016-1-17 22:31
个人感觉没有必要加分压电阻,将电池电压反接在反相比例放大器输入,调节反向比例放大器的放大倍数,可以使 ...

你说的是这样搭电路吗?请问用运放比用分压电阻的好处在哪里呢?
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引用: chenghongyi1987 发表于 2016-1-20 09:42
单片机的模拟地线要和电阻的地线接到一起哦

整个板子因为只实现一个AD采集串口输出的功能,所以就没有分数字地和模拟地,全都接在一个地上
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引用: chunyang 发表于 2016-1-14 17:47 首先,分压电阻的取值必须合理,阻值太小会过热,取值太大会有严重的温漂,要计算一下取值的功耗。其次,电 ...
你看加一级缓冲是不是就是这个意思,先分压,再来个运放做电压跟随?利用运放的大内阻来实现避免分压电阻等对AD采集内阻的影响? 本帖最后由 gxp790953623 于 2016-1-20 10:14 编辑
  • 1453255448070.jpg
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讨论得很鸡烈……但似乎大家都忘了一种很单纯的遗漏,即确认下所用单片机的A/D口是不是默认带内部上拉电阻的?
若带了上拉(通常是数kΩ~数十kΩ),且程序未disable掉它,那么用kΩ级电阻分压时,其影响就不可忽略了。
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引用: gxp790953623 发表于 2016-1-20 09:37
还有关于万用表测试的问题可能我没有说清楚,我当时想说的分压是指单片机AD采集口内阻和我的外接电阻构成 ...

我是想通过万用表内阻对电路有影响来说明单片机ADC引脚的内阻对电路也有影响。
虽然他们测试的原理不太一样但都是并联到待测电阻上,多多少少会对电路有影响。
影响的大小根据你待测电阻的大小了,越大影响越大。
喜好电子DIY的小伙伴可以关注我的微信公众号:电子创客派
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引用: 仙猫 发表于 2016-1-20 10:14
讨论得很鸡烈……但似乎大家都忘了一种很单纯的遗漏,即确认下所用单片机的A/D口是不是默认带内部上拉电阻 ...

用的是ADuC845的单片机,没有给具体的AD内部电路,也没查到那个AD内阻的参数
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引用: gxp790953623 发表于 2016-1-20 10:40
用的是ADuC845的单片机,没有给具体的AD内部电路,也没查到那个AD内阻的参数

A/D输入用的是 Port 1?
哦,那虽然本山说“这个可以有”,Datasheet还是坚持说“这个真没有”呗。
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引用: gxp790953623 发表于 2016-1-20 10:12
你看加一级缓冲是不是就是这个意思,先分压,再来个运放做电压跟随?利用运放的大内阻来实现避免分压电阻 ...

是的,至于是否必要,前帖已经解释过。“运放的大内阻”,这个概念描述错误,应为“运放具有高输入阻抗”。
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引用: gxp790953623 发表于 2016-1-20 10:40
用的是ADuC845的单片机,没有给具体的AD内部电路,也没查到那个AD内阻的参数

对IO可配置型MCU,为稳妥起见,都是要先将IO配置成高阻输入态。
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引用: 仙猫 发表于 2016-1-20 10:14
讨论得很鸡烈……但似乎大家都忘了一种很单纯的遗漏,即确认下所用单片机的A/D口是不是默认带内部上拉电阻 ...

很多低端带AD的MCU不支持IO类型配置,但就AD而言(包括但不限于MCU内置AD),输入阻抗是必须考虑的,等效RC回路和采样率的影响很大。
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引用: gxp790953623 发表于 2016-1-20 09:30
作为楼主不是我不想回复,只是自己初学者水平有限,看了大家的讨论以后,有些地方还是不太清楚,尤其是运 ...

哦,其实我也是很多的点不明白!虽然几位版主大人讨论的很激烈,但是我看的也茫然,就好比这个缓冲,那个类型的缓冲?稍微的具体点儿对我这个菜鸟来说,真实如淋甘露呀!!!
点赞  2016-1-21 07:56

首先,分压电阻的取值必须合理,阻值太小会过热,取值太大会有严重的温漂,要计算一下取值的功耗。其次,电阻的材质必须用高精度的金属膜电阻。最后,PCB布局也会影响
点赞  2016-1-21 13:39
引用: gxp790953623 发表于 2016-1-20 09:46
你说的是这样搭电路吗?请问用运放比用分压电阻的好处在哪里呢?

电池的正接运放的负输入,不过电池的地和单片机的地不能是一个地
点赞  2016-1-25 22:00
楼上各位讨论的真的很是激烈,对于ADC采集分压电阻这种方式检测相对较高的电压还是非常常用的方法。
之前在电赛中也有涉及该方法的,现在看来,自己的底子真的太薄了,好多东西都想象成理想的玩意,所以东西做出来,误差很大。

我稍稍把楼上前辈们的的讨论以我的理解,自己稍稍学习一下,稍作一下总结:

单片机ADC的输入阻抗相比于数字万用表(10M Ohm左右)较低,大约10多K Ohm(我也不确定)。
单片机的ADC为cmos工艺,对外等效为RC回路,也由于采样率的限制,所以一定要等待RC回路中的电容
充电完毕再去采样才可以得到实际的值(信号源内阻越大,采样时间越长)
我查了一下msp432的14位sar ADC
QQ截图20160222170625.jpg (3.72 KB)
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分辨率和采样率挺高,不过输入阻抗比较低(看来是为了节约成本啊!)。若我需要使用电阻分压测量楼主的要求,肯定需要一个低压轨到轨运放来实现它了~ 同时,按照要求,采样电阻选高精度金属膜电阻。
分压电阻 小 -> 电阻发热,功耗增加
分压电阻 大 -> 温飘增大

这样,硬件部分完成了。软件部分:1.记录不同的输入下运放输出的值(从这里,其实想到了为什么选用轨到轨运放)用excel或者matlab拟合出来曲线,这样得到的值再通过求平均或者其他算法来完成。

我也是这方面的新手,这其中还是有些问题我想问一下 @chunyang @dontium
1.这里的运放除了要求是轨到轨,其他的还有没有什么要求,带宽压摆率什么的?
2.关于电压的测试中,软件上还有什么算法比较好(希望能详细一些)?

@gxp790953623 42喽的那个图,按照您的回复改正以后,怪我无知,不共地怎么去测量电压?还有就是单片机的地,运放的地(若是单电源的),运放同相端的地和电池的地,应该怎么接?
点赞  2016-2-22 19:09
引用: sunduoze 发表于 2016-2-22 19:09
楼上各位讨论的真的很是激烈,对于ADC采集分压电阻这种方式检测相对较高的电压还是非常常用的方法。
之前 ...

缓冲用运放未必一定要轨到轨,具体由其供电范围和要求的输出范围决定。同MCU同电源的话,那确实需要。如果前级线性度好,缓冲可以省略,或者采用曲线拟合的办法来修正。至于说运放的其它参数,诸如压摆率、输入失调系数等,要看信号的频率、精度要求、输入幅值范围等,都是常规的运放选型原则。电压测试算法,这个同样要看具体情况,不存在什么普适的好算法,不同应用要求不同,适用不同。
上传了一些书籍资料,也许有你想要的:https://download.eeworld.com.cn/user/chunyang
点赞  2016-2-22 19:39
恩,谢谢您的回复。元宵节快乐哦!!!
我确实常会把运放与MCU使用相同的电源,
哎,自己水平有限,问题问的太没水平了,
我自己再去多学习吧!
点赞  2016-2-22 20:30
引用: sunduoze 发表于 2016-2-22 19:09
楼上各位讨论的真的很是激烈,对于ADC采集分压电阻这种方式检测相对较高的电压还是非常常用的方法。
之前 ...

1、如果使用运放,建议使用轨至轨,除了与测量精度相关的误差指标有要求外,速度根本没有要求。

TI的单片机,模拟部分特别容易烧坏,我曾对ADC使用反向二极管作保护,即它的最高电压可能是VCC+0.7V,就损坏了模拟部分,而数字部分加到超过5V也没事儿,
请看图片

a2.jpg

人家只保证了超过VCC 允许0.3V ----最大,

因为不使用轨至轨运放(除运放供电小于MCU的模拟供电电压外-----一般不会这样做的),很难保证它的输出电压不超过MCU的供电电压。

2、软件上,因为速度非常低,可以使用多次转换然后平均,这样会提高精度。

关于本例,我仍然建议不使用运放,关于这个问题一直想作个专题来讨论,让大家详细地认识一下ADC的驱动问题。

下面是432的ADC内部等效电路:

a1.jpg


既然楼主决定要用运放就用吧,因为这也是可以的。并不是 “ 一定不能用 ”
点赞  2016-2-22 21:49
引用: dontium 发表于 2016-2-22 21:49
1、如果使用运放,建议使用轨至轨,除了与测量精度相关的误差指标有要求外,速度根本没有要求。

TI的 ...

祝您元宵节快乐哦! 谢谢您详细的回答。我还处于初级阶段,差的还远着呢,所以有些东西真的不明白,看来好多东西还是需要我自己琢磨,学习,我在意的是最终的效果,很多时候我不拘泥于怎么实现的。也希望您的专题能发出来,我也好及时充充电。
点赞  2016-2-22 22:21
对于我这种初学者来说,感觉这种氛围很吸引人。。 没想到在我们初学者眼里一个小小的分压问题竟然可以牵扯出这么深的内容... 难怪,常说术业有专攻~做技术的一定得在这种氛围下学习
点赞  2016-3-4 11:32
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