Vg输入高时，N管会导通，使得P管的栅极为低，P管的DS导通。
一次发现奇怪的现象，Vg为高阻态时，Vout输入不定，检查发现P管的栅极电压变化不定。仔细检查发现R2虚焊，从而导致了N管的栅极浮空，把R2焊好，问题解决。
因此，MOS管的栅极不能浮空。P管应该有一个上拉电阻，对应的，N管应该有一个下拉电阻。
因此有必要对MOS的G极下拉电阻的使用，对MOS管的制造机理和使用的基本电路进行一下总结和复习一下功课如下：
MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的 电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰信号就不会直通了，一般可10~20K。这个电阻称为栅极电阻，
本帖最后由 qwqwqw2088 于 2016-3-29 16:36 编辑
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