[讨论] 为什么BUCK电路开关常用NMOS而不是PMOS

nevermore151237 2016-3-30 20:26 楼主

请教大家一个问题啦
开关电源中开关一般都是NMOS,那么在设计的时候还要考虑悬浮，自举电容，为什么不用PMOS呢，不就不用考虑悬浮了
我想可能是PMOS的开关速率慢之类的吧想了解一下PMOS比NMOS对电路效果会差多少呢

回复评论（10）

沙发 dontium

BUCK中，使用P型的也很多，而不是不用。

P型和N型，特别是早期，P型制造成本高于N型（相同性能），所以现在N型的驱动倒是较多。

在速度上，两种管子都一样。

点赞 2016-3-30 21:16

板凳 qwqwqw2088

同样功率的PMOS要不N制作工艺成本高，，
相同尺寸nmos的电流要比pmos大，但由于PMOS管内阻小于Nmos，所以使用pmos管可以减小功耗。
电子的迁移率是空穴迁移率的2-4倍，因此，nmos管的迁移率是pmos管迁移率的2~4倍。

点赞 2016-3-30 22:05

4楼 maychang

P沟管生产较困难，所以较贵。而且P沟管各项指标如耐压、导通电阻等等也不如N沟管。
用P沟管的好处是驱动方便。

点赞 2016-3-30 22:22

5楼 hk6108

还有电路的设计问题，接地制式，负地似乎是约定俗成的，
buck开关管跟负载是串联的，那么，在负地系统，N沟管就是源极输出，P沟管就是漏极输出。

理论还需理论解！

点赞 2016-4-9 12:13

6楼 apleilx

P沟槽的PWM脉冲幅度必须达到Vin的水平，N沟槽就不需要

千重雪染蒹葭谁眉间砂步步生莲花

点赞 2016-4-9 13:10

7楼 hk6108

引用: apleilx 发表于 2016-4-9 13:10
P沟槽的PWM脉冲幅度必须达到Vin的水平，N沟槽就不需要

欲使管子关断可靠，就要加反偏，
负地架构，PMOS源极在 Vin 热端，反偏所需的栅极电位比 Vin 更高是必然的，如果以漏极带负载（且 Vin 够高），栅极电位是不落地的，
负地架构，NMOS 源极是位于地端的，若以漏极带负载，则源极接地，把管子驱至完全开通仅需十数至二十来伏的对地电压，关断时如加反偏，则栅极电位会比地更负。

理论还需理论解！

点赞 2016-4-21 20:58