[讨论] 升压芯片TLV61220升压问题，终于解决

ienglgge 2016-9-17 17:58 楼主

原文 https://bbs.eeworld.com.cn/thread-494013-1-1.html 实验。通过缩短两个电容和芯片的地之间的连线长度，可以看到信号的变化。情况一。两个电容不作任何飞线。三个图信号依次为SW，FB，VOUT。sw信号，振荡的时间段一般不超过25us,之后是大概100us无振荡。fb大概0.2V。电压一升高，很快就变低。VOUT基本都在3V以下。情况二。两个电容的地飞线到芯片的地。三个图信号依次为SW，FB，VOUT。可以看到，sw信号，有些时间段，几十us内，震荡次数变多。FB幅度有所增加，波动变小，VOUT最高值增加。情况三。两个电容的地尽量短的连到芯片的地。SW的频率概1.36M。明显增加。持续振荡。fb0.4V。比较平稳。VOUT达到4.9V。波动概0.2V。基本达到正常状态。理论分析。主要还是在于布线。高频电路中的元件，呈现出和低频不同的特性。电容等效为阻容并联，再和电感串联。看芯片的手册。其他部分先不管，只看输入输出端两个电容。对其进行等效。结合实际的布线。两个电容的地和芯片的地之间走线饶了圈！这就是主要问题。走线过长，使等效电路中电感增大。感抗增加，对交流的抑制增强。于是，输入端交流信号达不到应有的幅度，频率。输出就肯定不对了。回想当年，讲到高频等效的时候，只是大概有些感觉，并没有形成真正的认识。直到实际遇到，根本不能很快的找到正确的方向。而是，把电路当成黑盒。通过各种不同的改变，去看现象。而不能有目标，有方向的去改变一些因素。最后，如有分析不对之处，还请指正。谢谢。 本帖最后由 ienglgge 于 2016-9-17 18:14 编辑