有一些疑问需要各位大神不吝赐教,在充电电路中,在插入充电器时,Q3管导通,SW电压为0 后面是要上管Q2导通,上管导通的条件是VGS大于0.内部集成LDO通过Cboot充电,把Cboot电容充到5v,这时上管导管,sw等于VIN,Cboot电压是VIN+5v,困惑就是应该是先SW电压为VIN,这样上管才能导通,但是,是什么原因让SW达到VIN?谢谢
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看了好久电原理图,没有找到VIN在哪里。这个问题,找不到VIN就没办法回答。okhxyyo呼叫了也没有用。
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好吧,“VIN就是VBUS”。
“内部集成LDO通过Cboot充电,把Cboot电容充到5v,这时上管导管”
Cboot这个标号/元件/器件,也没有找到。Cboot电容,也没有找到。
从字面上理解的话, 楼主不理解上管导通时SW脚电压如何能够到达VBUS. 这是把建立SW电压幅值的因果关系搞反了, 并不是要有SW=VBUS才能够有VGS=VBUS+5V, 实际上启动后的第一个周期结束, 因为下管的导通, SW=0V, BTST与SW脚间的电容两端电压就充到5V了(我近年用过好几款多路可编程DC-DC, 一般REGN LDO都是5V, 比如说我最近在用的单价10美金的4CH大电流可编程的XRP7724, 前几天在PCB版有贴过系统框图) , 这个电压足够驱动低压大电流MOS了, 第二个周期上管驱动翻转输出高电平, SW也就自然=VBUS了, 当然了, 如果LDO电流有限, 自举电容比较大的话, 电容充电可能需要若干个周期才能完成
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例:
XRP7724, 驱动电压5V固定
IR3895, 驱动电压4.5V/6.5V通过DCM可控, 4.5V针对低压应用, 6.5V针对高压应用.
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感谢你的帮忙我的理解,你的意思是说REGN LDO输出的5v电压,可以把驱动上管?
我在8楼已经说的很明白, 不管上管导通程度如何, 只要下管有导通的动作, 就有红线所示的充电电流给电容充电, 1个或若干周期后就充到近5V了, 电容的负端是接在上管驱动DH的负端, 故DH只要相对SW脚输出"高电平"就能使上管开通, 并不是说一定要是一个具体的电压幅度, 不过由于上管导通后SW脚的电压=VBUS, 所以认为上管的驱动电平是VBUS+0.5V
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