[求助] 漏极,漏磁通,漏感的理解

shaorc   2017-7-22 12:00 楼主

看到书上讲推完变换器的原理,说道

当MOS管开通,由于变压器次级在整流二极管反向恢复时间内造成的短路,漏极电流将出现尖峰

在MOS管关断时,高频变压器的漏磁通下降,漏感依然将释放储能,

变压器绕组上,相应地在MOS管的漏-源稳态截止电压上,出现电压尖峰。


我的问题如下

【1】MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极,为什么要说成漏极,漏这个说法我一直不明白?

【2】经常可以看到说变压的漏磁,漏磁通,或者电感的漏感,怎么理解这些定义?

【3】上文说的,漏磁通下降了,漏感就任然可以释放储能,是根据什么?

谢谢




回复评论 (13)

第一问题涉及MOS管的基本结构
MOS分N和P沟道
漏极相当于双极型晶体管的C极,源极相当于e极,栅极相当b极,
但二者的控制原理不一样,场效应管为压控器件,晶体管为流控器件.当栅源电压大于开启电压时,漏源之间导通,电流由漏极流向源极.也就是说漏极是接正电压的,源极接地。
从原理上,NMOS载流子是电子,由低电压处提供,所以低压端称源端,PMOS载流子是空穴,由高压处提供,所以高压端称源端。
点赞  2017-7-22 12:13
引用: qwqwqw2088 发表于 2017-7-22 12:13
第一问题涉及MOS管的基本结构
MOS分N和P沟道
漏极相当于双极型晶体管的C极,源极相当于e极,栅极相当b极 ...

谢谢,但是我还是不明白一系列关于漏的名词定义
点赞  2017-7-22 12:18
“MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极,为什么要说成漏极,漏这个说法我一直不明白?”

说漏极,不过是名词翻译罢了。其实这些翻译,未必有多少道理,而且有时是错误的,或者是以讹传讹。
举个例子:MOS管有个gate极,简写为G极。gate本来是“大门”的意思。但真空管中有个电极,叫grid,本来是“格栅”的意思,例如下水道口上的铁栅就叫grid,炉子里面架柴架煤以使空气流入燃烧的铁架也叫grid,简写也是G。很多书上就把MOS管的gate极称为“栅极”,以为和真空管里面的栅极是一回事。其实,只是简写均为G,控制电流的作用相同,但原文名称却并不相同。有些书上称为“门极”,就是原文忠实的意译。
点赞  2017-7-22 12:50
“经常可以看到说变压的漏磁,漏磁通,或者电感的漏感,怎么理解这些定义?”

“漏磁”就是“漏磁通”。
要理解这些概念,需要先学习电磁学(普通物理的一个分支),然后学习电工学中有关磁路的知识。左几篇帖子里面是说不清楚的。
建议看看赵修科老师这篇文章:
赵修科 开关电源中磁性元器件.pdf (6.24 MB)
(下载次数: 21, 2017-7-22 13:00 上传)

点赞  2017-7-22 13:00
“MOS管的漏极就是相当于三极管的集电极,为什么要说成漏极,漏这个说法我一直不明白?”

MOS管的漏极,相当于真空管的一个电极。真空管里面的这个电极,有的书上叫板极,有的书上叫屏极。原文是plate,既指平板,也指屏风。有些译者这么翻译,有些译者那么翻译。

真空管也称为电子管,同样是翻译的问题。

知道就好,这些翻译问题,不必深究。
点赞  2017-7-22 13:07
“上文说的,漏磁通下降了,漏感就任然可以释放储能,是根据什么?”

根据的是电感的定义。
我这么说,显然太概括太简单。实际上,电感是由电动势和电流变化率定义的,电动势是由能量(功)定义的。所以电感是由能量(功)和电流变化率定义的,所以漏感(漏感也是电感)可以释放存储的能量(当其中的电流减小时)。
点赞  2017-7-22 13:12
引用: shaorc 发表于 2017-7-22 12:18
谢谢,但是我还是不明白一系列关于漏的名词定义

看maychang 老师的解答
建议好好把电路基础关于场效应管看一下
点赞  2017-7-22 13:12
再补充一下
漏极在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两P区连起来,就构成了一个场效应管。
12222.jpg
点赞  2017-7-22 13:14
引用: qwqwqw2088 发表于 2017-7-22 13:12
看maychang 老师的解答
建议好好把电路基础关于场效应管看一下

谢谢
点赞  2017-7-22 13:39
引用: maychang 发表于 2017-7-22 13:00
“经常可以看到说变压的漏磁,漏磁通,或者电感的漏感,怎么理解这些定义?”

“漏磁”就是“漏磁通”。 ...

谢谢
点赞  2017-7-22 14:09
引用: maychang 发表于 2017-7-22 13:12
“上文说的,漏磁通下降了,漏感就任然可以释放储能,是根据什么?”

根据的是电感的定义。
我这么说, ...

谢谢,
我的理解是,由于线圈缠绕存在间隙,所以才会产生漏磁通,
当原边所有MOS关关断时,就想到了这个公式 U=L×△ф=L×(di/dt),
然后如何根据这个公式体现漏感释放能量呢?
点赞  2017-7-22 14:20
引用: shaorc 发表于 2017-7-22 14:20
谢谢,
我的理解是,由于线圈缠绕存在间隙,所以才会产生漏磁通,
当原边所有MOS关关断时,就想到了这 ...

“我的理解是,由于线圈缠绕存在间隙,所以才会产生漏磁通”
不是的。
原边电流所产生的磁通,没有完全穿过副边绕组,这部分磁通称为漏磁通。
你在另一帖中说到口字形铁芯,实际上从来没有口字形铁芯一根柱上绕原边,另一根柱上绕副边的(手工弧焊机除外),就是因为这样绕漏磁通太大。当然,没有铁芯漏磁通更大。
原边副边绕组并绕(两根导线并在一起绕,两根绞合起来更好),原边对副边的漏磁通最小。
点赞  2017-7-22 14:55
引用: shaorc 发表于 2017-7-22 14:20
谢谢,
我的理解是,由于线圈缠绕存在间隙,所以才会产生漏磁通,
当原边所有MOS关关断时,就想到了这 ...

“想到了这个公式 U=L×△ф=L×(di/dt),然后如何根据这个公式体现漏感释放能量呢?”
此式中有电压U,有电流i,这就是功率。什么是功率?功率是单位时间内做的功。什么是功?功是能量的转移。
点赞  2017-7-22 14:58
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