[求助] STM32的SRAM电压低于多少数据会清零

用STM32F101RC的PVD（阀值2.9V）掉电检测功能来保存一些数据进24C16中！
现象是这样的：
当我不停的给电路上下电，大部分时间存入数据是没有问题的，但是偶尔会出现存入数据全为0的现象，一开始我分析是电源电压跌落太快，导致EEPROM擦写时间不够引起的错误，我用示波器观察电压跌落情况，发现电压从（2.9--2.0V）大概有25MS的时间，时间足够擦写EEPROM了！排除时间问题！然后自然而然就想到数据本身的问题，我又做了如下实验
本来我的数据都是变量形式的例如：
cunchu[0]=LeiJiZhongLiang[DangQianPeiFang];//àÛ¼ÆÖØá¿
Write_24c16(0xA4,0x0C,0,cunchu);
delay(10000);、//3MS

后来我改成定值方式存储：
cunchu[0]=0x01;//àÛ¼ÆÖØá¿
Write_24c16(0xA4,0x0C,0,cunchu);
delay(10000);//3ms

发现用定值存储数据不会发生错误！所以我怀疑是在进入PVD中断里面的时候，由于电压跌落导致SRAM中的数据都清成0，除了加大电容还有什么办法没？SRAM保持电压不能低于多少?

补充一点：原因就是要存入变量都变为了0

你这个最好是用备份寄存器,低压操作flash很不可靠,
备份寄存器就是专门干这个的.

问题的关键不是SRAM，而是在于MCU中相关逻辑控制电路。随着供电电压的降低，在SRAM内容归零前就会出现数据的不可靠，所以需要其它电路的介入，其结果就是早在SRAM内容归零前，MCU就早已无法正常工作了，所以知道归零电压也无意义。一切以器件手册为准，手册所载额定工作电压的上下门限均决不可越过。