[资料分享] F2812烧写FLASH及其搬移程序（bootloader）方法

Aguilera 2018-6-22 22:41 楼主

F2812烧写FLASH及其搬移程序（bootloader）方法所需准备“材料”：

1、F2812评估板一套
2、DSP-CCS平台
3、仿真品一套
4、要烧写及搬移的程序
5、TI的烧写插件
6、合众达烧写算法程序
7、自己的搬移程序

bootloader操作步骤

（前提是程序编译通过，并且可以通过仿真器在RAM中运行）

（假设要烧写的程序为app.pjt，烧写算法程序为lash_p.pjt，搬移程序为schlep.c）

1、  将要烧写的app.pjt程序的CMD文件进行改写，保证其程序部分放到一个连续的数据空间中（要将生成的程序块定义到数据空间，下一步的flash_p算法程序对其顺序烧写到指定的FLASH块中）。

2、  编译成功后，对其进行load program ，将其load到指定的RAM中。

3、  打开工程文件flash_p，将算法部分的源程序地址及目标地址进行修改，源程序地址根据app.pjt中CMD文件配置的地址；目标地址即要将程序放置的FLASHF地址；定义的烧写长度一定得不小于所要烧写的程序的长度。（对app.pjt进行编译后，可在生成的app.map文件中查看其程序段的起始地址及长度。）

4、  编译flash_p.pjt文件，编译成功后，对其进行load program，可在程序中校验完成后设置断点（否则程序会进入循环，另：烧写部分有擦除、烧写、校验三个部分），到达断点程序停止运行，如果没有出错的话，这一步已经完成了烧写FLASH的工作。若要查看烧写的情况，可打开汇编窗口（菜单—>windows—>assembly）对源地址（数据空间中）及目标地址（FLASH空间中）进行比对，看其是否一致。

5、  采用TI的烧写插件烧写自己的搬移程序。在自己的搬移程序中要正确写入程序入口地址，即要搬移到RAM中的入口地址，此地址也可在app.map文件中查看到。有个前提条件：即此处搬移的RAM地址要和第一次load app.out的起始地址完全相同，这样才可保证入口地址的一致性。此步骤完成后，可打开汇编窗口观察是否搬运成功。查看0x3f7ff6处，是否是一条跳转指令 LB  _c_int00，再察看FLASH中的程序地址处与要搬移至RAM中的程序地址处是否一致。