[讨论] 在低功耗系统中MOS管的应用

楼主请问下，低功耗的MOS管是不是低内阻的，我用低内阻的MOS管和高内阻的MOS对比测试，反而高内阻的功耗低，低内阻的反而功耗高，在相同电路中测试的，不得其解

你说的“低功耗的MOS管”是指哪项指标特别突出？“低内阻的MOS管”是否指Ron特别小？

楼主说的是Rds(ON)吗？此参数是正温系数，采用碳化硅的会好些。

说的很对，适当的减小R22（或者在Q10D极加串一电阻）可以减小漏电流在G极建立的电压值，从而避免Q11误导通。

在Q10D极加串电阻，实际上是加大Q11输入电阻，Q11G极需要更大电流才能建立导通电压。

自己顶一下，请各位大佬来讨论

应该减小R22，而非在Q10的漏极串联电阻。

减小R22，目的是在相同的Q10漏电流之下，Q11门极得到较小的电压。

首先，我并不反对减小R22的方法；

其次串联电阻实际上是加了一个限流电阻，同样在相同漏电流的条件下，减低Q11门极产生的电压值，

虽然R22阻值确实有点大了，可是这个等效电路不一样可以实现降低Q10漏电流对Q11的影响吗？

这种接法，在Q10导通时，会减小Q11门极分到的电压。

实际上，减小R22的同时，还要减小R20，否则会改变Q10导通时的分压比。

这么说吧，Q10漏电流需要给Q11的Cgs充电，其充电电流是否要通过RX，如果要，那么VRX就会成立，所产生的IRX是否是漏电流的一部分呢？