低电压NAND flash介绍
随着便携式设备和穿戴式设备的兴起，产品对于功耗的要求也是越来越严格，基本这类设备对于待机时间，工作时间都有相应的要求。然而普通的NAND flash的供电电压是3.3V，这样就导致整个NAND flash在读和写的时候，功耗会比较大。如果系统要频繁从NAND flash中获取数据，这样对于整个NAND flash的功耗又会增加，据此原因，ATO针对这类应该开发出来了1.8V的低电压，低功耗NAND flash。
下面主要说明一下，ATO 1.8V 1Gb NAND flash的规格以及和3.3V NAND flash的对比。
图1 3.3V NAND flash的直流特性的指标
图2 1.8V NAND flash的直流特性指标。
从上面两个图的对比可以看出，读，写，操作操作时，电流的指标是一样的。但是1.8V的电压值几乎是一半与3.3V，故功耗也几乎是3.3V 的一半。
所以，对于功耗的节省是非常明显的。
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