【晒电路】看看这个电路是什么作用？

这个电路发表时就是问是什么电路？

估计是用于市电的单线开关吧，串入用电器就能工作。

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这是一个带自保的双向硅的触发电路，但是因为B的参数不清楚，所以不敢大胆妄言。希望楼主慈悲为怀，对于B的参数给个范围。目前我认为B应该是电流互感器之类，还望楼主指正。
另外，此电路是实用电路。是个好资料，我已经收藏了。

[ 本帖最后由 quanzx 于 2009-9-29 19:26 编辑 ]

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呵呵！何为“慈悲为怀”！B应该是电流互感器！我也是猜的？？见笑了！
我分析的结果暂时先不公布！！先看看大家的分析？？

新手上路,看不懂,狂顶狂顶

回复 4楼 到处看看 的帖子

坚持观点，等候楼主的最终答案。

是不是能产生一种波形的发生器啊，期待答案

偶看的很晕

貌似桥堆要左旋90°才能工作。
疑似交流稳压电源。

同意楼上

整流桥怎么看怎么别扭，左转90度就好解释了：
'IN'～'OUT'间（≒互感B的初级）电压要高到一定程度三极管BG1才能导通
　→ 整流桥短路
　→ 触发可控硅导通
　→ 实现交流稳压

还有，发光二极管DY应该保护一下。
通常LED的反向耐压只有几伏，串50kΩ后虽不至于雪崩损坏，但长期软击穿会让器件受损，是个隐患。
（当然，如果只是低压交流则另当别论。）

我的分析：这是一个带有负载电流检测的开关电路！（有问号的地方是原电路有问题的？已经修改了）如果去掉红色框内的电路就是一个非常典型的双向可控硅调压电路！R8提供电路输出的初始电压（电压非常低）！当有负载时，电流互感器次级有电压产生，通过变换电路控制BG1的导通大小即改变了D1-D4（相当于一个可变电阻）的阻值，进而改变了可控硅的导通角，使可控硅完全导通，完成开关动作。
这个电路给了我们另一个思路！如果修改红色框内的电路，应该可以完成恒流工作状态！即用于交流220V的恒流源电路！？粗浅分析！希望各位朋友拍砖指正！！

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看来我的思路基本接近，但是这个电路的确给我不小启发。谢谢到处看看。

对楼主这个答案的第一段中内容予以探讨一下。
再次声明：纯粹是探讨。
按楼主所说，“接负载，可控硅完全导通”，意思就是负载上获得了电源提供的全部电压；
           当然，不接负载，负载上当然就没有电压。
=====================================================================
那电源接负载和不接负载就实现这个功能了。此电路就变为多此一举了。

[ 本帖最后由 xu__changhua 于 2009-10-5 13:15 编辑 ]

进一步分析，我认为，这是一个软启动。改变R2、C2、DW2的大小可以改变启动时间。
另外，将R7加大并改变其大小，可以改变输出电压并实现对负载的变化进行稳压，即对负载具有跟踪稳定能力。
但是对输入电压的变化却不能跟踪稳定。

主要是软启动的作用。

[ 本帖最后由 xu__changhua 于 2009-10-5 13:27 编辑 ]

偶看不懂......

有道理!dw1为什么要有稳压管？既然控制信号取的是电流，应该输入输出都应该有反映才对？把电路整理了一下，看看能否用仿真软件看看！！？

疑点多多

　估计DW1是错画成了稳压管，其实只是普通二极管而已，否则负电压加在22μF甚至三极管BG的b-e结，有损坏器件的危险。
　还有那几个电阻也挺可疑的，比如R6的目的是什么？如用来抑制三极管BG的Iceo，470kΩ也忒大点了吧？
　互感次级至少要输出近10V才能使三极管导通，如果再考虑电路要有一定的负载能力（比如1A），在大功率三极管的hFE往往较小的情况下，为了提供足够的电流基极而要扣除R3、R5、R7三个82Ω的压降，互感次级可能得有15～20V甚至更高才行，而那么高的电压加在只有82Ω的R2上要消耗好几W的功率究竟有没必要？
　还有一点，既然用了DW2降压，何不减少互感次级的圈数以降低损耗？

[ 本帖最后由 仙猫 于 2009-10-6 01:50 编辑 ]

DW1稳压管还是必须的。作用是断电瞬间再上电仍能起到软启动的作用。
作为软启动电路，在断电瞬间再通电时，仍要求再次软启动，则断电时就要立即将电容器上的电荷放掉（一部分）
这个稳压管就起到立即放电的作用，虽然不放完，总比仅靠R4大电阻放电要快得多。放电回路为C2上端~DW1~互感器二次侧~R2~R3~C2下端。
最终放电到4.3V（不考虑电阻R4放电）
此时上电，互感器二次侧感生的电压从4.3V充电，充了5V到8.3V，后级电路启动需要一段时间，


对于长期断电情况，C2上的电荷通过较大的电阻R4放完为止。

因此长期断电的上电软启动时间比断电瞬间再上电软启动时间要长一些。

再探讨一下。
一、关于负电压加在22μF甚至三极管BG的b-e结，有损坏器件的危险的探讨
这个不会损坏器件的。有几方面的因素做保障。
其1：假设互感器次级15V（VPP），反向时，从互感器下端-经R3-R5-BG的eb-R7-DW2-DW1-互感器上端这个回路，因BG的eb、DW2、DW1降压降掉7+0.7+4.3=12V，尚余3V，除以3个82欧电阻，其电流为12mA，不足以损坏回路中各个元件，包括三极管的eb结。
其1：互感器次级的内阻还没有计算在内，电流互感器二次侧匝数多线径细，内阻很大，特别是这种小功率的，往往大于1K欧姆，所以，上述其1的计算还没包括这个内阻，如果包含这个电阻，其电流不应超过5mA。三极管更保险。

二、R6的作用探讨
设计者是从晶体管原理上来考虑的，PN结都有电容，三极管的be结业不例外，虽然很小，但也上百皮法拉，该电阻的作用给这个PN结提供断电时的放电回路，以提高三极管的开关速度。实际上是可以不要的。

三、一定的负载能力（比如1A），在大功率三极管的hFE往往较小。。。。。。的探讨

我们不要用17楼的简图来分析，而应该用12楼的全图来分析，就不会得到这个结论了。

因为12楼的图中，R9是触发电流，只需要1点点电流即可触发可控硅输出大电流；
而16楼的简图中，R1看上去是负载，实际上仅仅是描述原理用的。不过这个1K电阻确实是小了些。

四、何不减少互感次级的圈数以降低损耗的探讨
互感器出厂时，参数是规定了的。不能任意修改，否则不合国标规范。
要改变输出电压，是通过修改R2阻值来调整的。
如5A：0.1A，只要修改R2电阻，如0.1A*82=8.2V；0.1A*100=10V
使用互感器时还规定，不能省略二次侧并联电阻，否则互感器内部容易击穿。