[分享] 工业环境中LDO的热保护设计

alan000345   2018-9-4 15:50 楼主
工业物联网(IoT)强调实时监控和控制,导致工业机器和工艺上安装的传感器数量激增(如图1所示)。许多被测量的量在本质上是模拟量,包括压力、温度和流量。

TI_LDOprotect_Fig1.jpg


图1 自动化工厂依赖于来自多个模拟传感器的精确数据。(来源:TI博客:“如何确保自动化过程中的精确性”)

典型的数据采集系统由连接到传感器的精密模拟前端组成,接着是模数转换器,该转换器通过有线或无线连接将信息发送到网关,然后发送到云数据端。

开关调节器与线性调节器-简单概述

工业数据采集系统的电源通常包括开关调节器和线性调节器的混合设计。每种类型的设计都有它的长处和弱点。其核心是开关调节器设计依赖于功率晶体管,该功率晶体管将模拟输入电压改变为脉宽调制(PWM)脉冲串,其占空比取决于输出电压和电流。选择的拓扑结构取决于应用程序。开关稳压器可以将输入电压转换为较高电平(升压)、较低电平(降压),或者甚至将正电压转换为负电压。

开关稳压器的效率高达95%或更高,因此紧凑的设计可以处理大量的电力。这种高效率使得开关稳压器成为较大功率转换任务的优选,例如,为工业机架提供系统直流功率。为了解决这个问题,TI开发了大量的开关稳压器。

另一方面,晶体管的开关动作产生的噪声出现在输出上的纹波。此外,在切换控制器能够检测和响应突然的负载变化之前,存在一定量的延迟。

在数据采集系统中,当向缓冲或放大低电平传感器输入的敏感模拟电路提供清洁电力时,高电平噪声是一个问题。这就是线性调节器的调节范围了。

TI_LDOprotect_Fig2.png

图2 线性调节器在负载电流变化时保持恒定电压VOUT。PNP通过晶体管消耗多余的功率作为热量。

(TI:“自动化工业系统的线性功率”)


线性调节器(图2)具有非常低的输出纹波和噪声,因为它不使用任何开关元件。相反,它的功率晶体管连续工作。期望输出电压与实际输出电压之间的任何差值表示为误差信号。功率晶体管控制电路使用误差信号来调整功率晶体管,并使输出电压更接近期望值。反馈环路本质上是模拟的,因此线性调节器立即响应负载变化。

线性设计只能将较高的输入电压VIN转换为较低的输出电压VOUT。代表输入和输出之间的差别(VIN_VOUT)的电压出现在功率晶体管的两端;对于电流IOUT,功率晶体管因此将浪费的功率作为热耗散:

Pd=(Vin -Vout)×Iout +(Vin×IGNEN)

(VIN x IGNEN)表示由设备的控制电路消耗的功率。随着(VIN_VOUT)的增加,线性稳压器耗散更多的功率,并且电源的效率逐渐降低。因此,VIN和VOUT之间的差异应尽可能低。

线性稳压器的输入电压必须高于期望的输出电压一定值,即跌落电压VDO,以维持稳压。如果输入低于最小值,输出电压开始下降。VDO的值随输入电压、输出电流和结温度而变化,但是低漏极(LDO)调节器的漏极电压可以低到十分之几伏特。LDO的关键参数包括漏失电压、输出电压、输出电流、输入电压范围、封装类型、封装尺寸、诸如启用或软启动的控制特性、功耗能力和噪声性能。

这里说明一下,TI公司为工业、消费、通信和汽车应用提供超过500个LDO调节器。感兴趣的朋友可以登陆TI官网了解。


LDO热性能与封装

由于LDO作为热耗散过多的功率,其热性能是设计者非常感兴趣的。主要关注两个方面:确保零件不会太热;如果温度超过安全阈值则保护它。让我们仔细看看这两个话题。

为什么我们要关注LDO的温度?虽然低温会导致问题,但在电力设备中,我们主要关注高温。

事实上,在足够高的温度(掺杂硅大约290℃)下,半导体作用停止,n区和p区之间的电差异消失,p-n结不再控制载流子。然而,在那之前很久,由过热引起的热过应力使封装熔化,使集成电路翘曲和破裂。

也有一些微妙的影响。许多操作参数是温度依赖性的。在高温下,设备仍然可以操作,但是不再保证符合数据表规范。

LDO数据表列出了几个高温极限,以及超过它们的可能后果。请参阅数据表以了解具体情况。


QQ截图20180904153008.png


在工作期间,由于功率PD在通晶体管上耗散,结TJ处的LDO温度升高到环境温度TA以上。TJ的值如下:


TJ= Ta+(Pd xR Th JA)

其中RθJA是器件从结到周围环境的热阻,表示为每瓦摄氏度。这个参数在数据表中声明,如图3所示。它规定了每瓦电力消耗的温度上升,并且是设备封装的热性能的度量。您应该小心,不要仅仅依靠RθJA来估计应用程序中设备的温度,因为实际值还取决于PCB设计、布局和其他因素。


TI_LDOprotect_Fig3.png

图3 许多LDO,如这里所示的TPS75,提供了具有不同R Th JA值的包的选择。请注意,测试条件。

(TI:“电源良好快速瞬态响应7.5-A低压差稳压器”)



如果每个设备使用标准化测试,例如JEDEC的EIA/JESD51-x标准,可以比较来自不同制造商的两个设备的热性能,以测量RθJA。有关IC封装的热性能的更多信息,请参阅此应用报告。


遵循这些步骤使LDO温升最小化



如果LDO正在供电,它的温度将会上升。但是,你可以采取措施帮助消除装置中的热量,并与物理定律作战。




许多LDO有各种各样的软件包。除非你的设计受到严格的空间限制,否则你可以选择一个更大,更热效率的软件包。选择合适的包装会有很大的不同。例如,TPS732 250-mA LDO有三种封装类型:8针SON(3.00×3.00mm)、6针SOT-223(6.50×3.50mm)和5针SOT-23(2.90×1.60mm)。

这些封装的R Th JA值分别为58.3、53.1和205.9°C/W。为什么巨大的变化?SON和SOT-223是比较大的功率封装,带有暴露的铜焊盘;这些焊盘焊接到PCB接地平面,并且提供热效率高的管道来去除热量。SOT-23封装缺少热垫;它的尺寸也是最小的,因此它具有最小的表面积来通过辐射和对流去除热量。

我们可以执行快速计算来说明TPS732中的包之间的差异。假设VIN=5.5 V,VOUT=3 V,IOUT=250毫安。接地电流Igroun随温度、VIN和IOUT而变化,在最高推荐工作温度125°C时,约为0.72mA。

使用上面的等式给出:

Pd=(5.5~3)×0.25+(5.5×0.00072)=0.63 W

对于环境温度,TA,25°C,让我们比较TJ的三个包:

TJ(SON)=25°C+(58.3°C/W×0.63 W)=61.73°C

TJ(SOT223)=25°C+(53.1°C/W×0.63 W)=58.45°C

TJ(SOT23)=25°C+(205.9°C/W×0.63 W)=154.72°C

前两种封装的结合温度完全在推荐工作温度范围内,但TJ(SOT23)大大超过最高温度。事实上,它是危险的接近温度(160°C),激活TPS732的热保护电路。


热保护电路是LDO的标准特性:当激活时,它禁用输出,保护LDO免受过热损坏,并让它冷却。对于TPS732,当TJ冷却到140°C左右时,热保护电路关闭,并且TPS732恢复向负载提供电流。

如果条件不改变,部分将再次加热,并最终重新激活热保护。LDO将继续以某种频率振荡,该频率是热保护滞后、功耗和其他变量的函数。诸如上面这样的计算是LDO设计的标准部分,通常将强制切换到热效率更高的封装。

设计师可以采取什么其他措施来降低温度上升并避免热关机?降低LDO和PCB之间的热阻是另一个合理的策略。如果LDO有一个热垫,它应该焊接到地平面或连接到散热器。大部分热量通过引脚离开LDO,因此增加输入、输出和接地平面的尺寸也会降低热阻。大多数TI的LDO数据表包含了详细的热分析和布局建议。

最后,您可以通过添加一个与LDO输入串联的功率电阻器RP来降低PD的值。电阻器降低了LDO输入管脚处的输入电压,因此降低了必须在功率晶体管上耗散的功率。对于输入电流IIN,在LDO输入引脚处看到的电压降低(VIN -IIN×RP)。

两个注意事项:

电阻器必须能够耗散由最坏情况电流产生的功率PRP(PRP= IIN(max)2×RP)。
当IIN(max)流过RP时,跨RP的电压降必须使LDO输入高于调节所需的最小值:即VIN>VOUT+VDO。


当一切出错时:过载保护电路

上面讨论的设计技术是必要的,但不充分。正如我们在前一节中看到的,LDO的温度取决于PD,而PD又严重依赖于提供给负载的当前IOUT。如果负载需要比LDO设计成提供的电流更多的电流,或者在诸如短路负载的异常状况期间,LDO还包含内部电路,以将电流限制到预定值并防止灾难。



TI_LDOprotect_Fig4.png

图4 当负载电流超过极限值时,LDO“brick-wall”电流限制关闭LDO输出。
(TI博客:“LDO基础:当前限制,”图1)

图4显示了标准LDO电流限制电路。它的工作原理是测量输出电流,将其缩小,并将缩小后的电流与代表最大允许值的内部参考电流IREF进行比较。如果缩放后的输出电流超过IREF,则触发比较器,该比较器关闭输出,电压下降到零。

这种类型的电路通常被称为“brick-wall”电流极限。


另一种策略是将LDO的最大电流限制为独立于输出电压的固定值ILIMIT。当设备处于当前极限时,VOUT没有被调节:VOUT=ILIMIT×RLoad。如果负载短路,功率晶体管必须足够大以无限期地耗散(VIN×ILIMIT),或者至少直到热保护电路被激活。


TI_LDOprotect_Fig5.png


图5 两种限流类型:brick-wall(a)和foldback (b)。(TI博客:“LDO基础:当前限制,”图。2,3)

foldback是第三种策略,其目标是限制总功耗而不是输出电流。这种方法通过线性减小输出电流极限,使输出晶体管保持在安全的功耗极限内,同时VOUT减小,VIN保持稳定。这种方法的优点是,折叠电流小于上面的ILIMIT,所以功率晶体管必须消耗更少的功率,减少损坏的风险。图5比较了brick-wallfoldback 波形。



回复评论 (1)

写的不错,多谢楼主分享
点赞  2018-9-4 15:54
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