线性调节器(图2)具有非常低的输出纹波和噪声,因为它不使用任何开关元件。相反,它的功率晶体管连续工作。期望输出电压与实际输出电压之间的任何差值表示为误差信号。功率晶体管控制电路使用误差信号来调整功率晶体管,并使输出电压更接近期望值。反馈环路本质上是模拟的,因此线性调节器立即响应负载变化。
线性设计只能将较高的输入电压VIN转换为较低的输出电压VOUT。代表输入和输出之间的差别(VIN_VOUT)的电压出现在功率晶体管的两端;对于电流IOUT,功率晶体管因此将浪费的功率作为热耗散:
Pd=(Vin -Vout)×Iout +(Vin×IGNEN)
(VIN x IGNEN)表示由设备的控制电路消耗的功率。随着(VIN_VOUT)的增加,线性稳压器耗散更多的功率,并且电源的效率逐渐降低。因此,VIN和VOUT之间的差异应尽可能低。
线性稳压器的输入电压必须高于期望的输出电压一定值,即跌落电压VDO,以维持稳压。如果输入低于最小值,输出电压开始下降。VDO的值随输入电压、输出电流和结温度而变化,但是低漏极(LDO)调节器的漏极电压可以低到十分之几伏特。LDO的关键参数包括漏失电压、输出电压、输出电流、输入电压范围、封装类型、封装尺寸、诸如启用或软启动的控制特性、功耗能力和噪声性能。
这里说明一下,TI公司为工业、消费、通信和汽车应用提供超过500个LDO调节器。感兴趣的朋友可以登陆TI官网了解。
LDO热性能与封装
由于LDO作为热耗散过多的功率,其热性能是设计者非常感兴趣的。主要关注两个方面:确保零件不会太热;如果温度超过安全阈值则保护它。让我们仔细看看这两个话题。
为什么我们要关注LDO的温度?虽然低温会导致问题,但在电力设备中,我们主要关注高温。
事实上,在足够高的温度(掺杂硅大约290℃)下,半导体作用停止,n区和p区之间的电差异消失,p-n结不再控制载流子。然而,在那之前很久,由过热引起的热过应力使封装熔化,使集成电路翘曲和破裂。
也有一些微妙的影响。许多操作参数是温度依赖性的。在高温下,设备仍然可以操作,但是不再保证符合数据表规范。
LDO数据表列出了几个高温极限,以及超过它们的可能后果。请参阅数据表以了解具体情况。
在工作期间,由于功率PD在通晶体管上耗散,结TJ处的LDO温度升高到环境温度TA以上。TJ的值如下:
TJ= Ta+(Pd xR Th JA)
其中RθJA是器件从结到周围环境的热阻,表示为每瓦摄氏度。这个参数在数据表中声明,如图3所示。它规定了每瓦电力消耗的温度上升,并且是设备封装的热性能的度量。您应该小心,不要仅仅依靠RθJA来估计应用程序中设备的温度,因为实际值还取决于PCB设计、布局和其他因素。
图3 许多LDO,如这里所示的TPS75,提供了具有不同R Th JA值的包的选择。请注意,测试条件。
(TI:“电源良好快速瞬态响应7.5-A低压差稳压器”)
如果每个设备使用标准化测试,例如JEDEC的EIA/JESD51-x标准,可以比较来自不同制造商的两个设备的热性能,以测量RθJA。有关IC封装的热性能的更多信息,请参阅此应用报告。
遵循这些步骤使LDO温升最小化
如果LDO正在供电,它的温度将会上升。但是,你可以采取措施帮助消除装置中的热量,并与物理定律作战。
许多LDO有各种各样的软件包。除非你的设计受到严格的空间限制,否则你可以选择一个更大,更热效率的软件包。选择合适的包装会有很大的不同。例如,TPS732 250-mA LDO有三种封装类型:8针SON(3.00×3.00mm)、6针SOT-223(6.50×3.50mm)和5针SOT-23(2.90×1.60mm)。
这些封装的R Th JA值分别为58.3、53.1和205.9°C/W。为什么巨大的变化?SON和SOT-223是比较大的功率封装,带有暴露的铜焊盘;这些焊盘焊接到PCB接地平面,并且提供热效率高的管道来去除热量。SOT-23封装缺少热垫;它的尺寸也是最小的,因此它具有最小的表面积来通过辐射和对流去除热量。
我们可以执行快速计算来说明TPS732中的包之间的差异。假设VIN=5.5 V,VOUT=3 V,IOUT=250毫安。接地电流Igroun随温度、VIN和IOUT而变化,在最高推荐工作温度125°C时,约为0.72mA。
使用上面的等式给出:
Pd=(5.5~3)×0.25+(5.5×0.00072)=0.63 W
对于环境温度,TA,25°C,让我们比较TJ的三个包:
TJ(SON)=25°C+(58.3°C/W×0.63 W)=61.73°C
TJ(SOT223)=25°C+(53.1°C/W×0.63 W)=58.45°C
TJ(SOT23)=25°C+(205.9°C/W×0.63 W)=154.72°C
前两种封装的结合温度完全在推荐工作温度范围内,但TJ(SOT23)大大超过最高温度。事实上,它是危险的接近温度(160°C),激活TPS732的热保护电路。
热保护电路是LDO的标准特性:当激活时,它禁用输出,保护LDO免受过热损坏,并让它冷却。对于TPS732,当TJ冷却到140°C左右时,热保护电路关闭,并且TPS732恢复向负载提供电流。
如果条件不改变,部分将再次加热,并最终重新激活热保护。LDO将继续以某种频率振荡,该频率是热保护滞后、功耗和其他变量的函数。诸如上面这样的计算是LDO设计的标准部分,通常将强制切换到热效率更高的封装。
设计师可以采取什么其他措施来降低温度上升并避免热关机?降低LDO和PCB之间的热阻是另一个合理的策略。如果LDO有一个热垫,它应该焊接到地平面或连接到散热器。大部分热量通过引脚离开LDO,因此增加输入、输出和接地平面的尺寸也会降低热阻。大多数TI的LDO数据表包含了详细的热分析和布局建议。
最后,您可以通过添加一个与LDO输入串联的功率电阻器RP来降低PD的值。电阻器降低了LDO输入管脚处的输入电压,因此降低了必须在功率晶体管上耗散的功率。对于输入电流IIN,在LDO输入引脚处看到的电压降低(VIN -IIN×RP)。
两个注意事项:
电阻器必须能够耗散由最坏情况电流产生的功率PRP(PRP= IIN(max)2×RP)。
当IIN(max)流过RP时,跨RP的电压降必须使LDO输入高于调节所需的最小值:即VIN>VOUT+VDO。
当一切出错时:过载保护电路
上面讨论的设计技术是必要的,但不充分。正如我们在前一节中看到的,LDO的温度取决于PD,而PD又严重依赖于提供给负载的当前IOUT。如果负载需要比LDO设计成提供的电流更多的电流,或者在诸如短路负载的异常状况期间,LDO还包含内部电路,以将电流限制到预定值并防止灾难。