目录
第1章半导体器件的发展
1·1电子器件发展历程中的“潮流与波浪”
1·2从体单晶时代向多层化薄膜器件时代的发展
练习题
第2章半导体的电学性质
2·1半导体的导电率
2·2晶体中电子的有效质量
2·3电子状态密度
2·4载流子密度与温度及禁带宽度的依赖关系
2·4·1载流子密度与温度的关系
2·4·2载流子密度随禁带宽度的变化
2·4·3载流子密度与费米能级位置的关系
练习题
第3章半导体界面的电子现象
3·1半导体的清洁表面与实际表面及其电子状态
3·2pn结
3·3异质结
3·4金属-半导体界面
3·5半导体-电介质界面
3·6晶粒间界
练习题
第4章各种半导体二极管
4·1pn结二极管
4·1·1pn结二极管的直流电流-电压特性
4·1·2pn结二极管的交流特性
4·1·3pn结二极管的直流电压-电容特性
4·1·4电压-电流特性理论的修正
4·2肖特基二极管的直流电流-电压特性
4·3异质结二极管
4·4江崎二极管与反向二极管的直流电流-电压特性
4·4·1电子穿过薄势垒的几率
4·4·2简并半导体pn结的电压-电流特性
4·4·3反向二极管的直流电流-电压特性
练习题
第5章双极型功能器件
5·1晶体管的作用
5·1·1双极晶体管的结构
5·1·2接地电路与电流的流动
5·1·3输入-输出特性
5·2双极晶体管的工作原理
5·2·1晶体管的放大功能
5·2·2晶体管内部的电流输运机理
5·3晶体管的性能参数(αo*,βo,γo,fa)
5·3·1发射极注入效率γo
5·3·2基区输运效率βo
5·3·3收集效率αo*
5·3·4高频特性
5·4漂移晶体管
5·4·1载流子扩散的渡越时间
5·4·2漂移晶体管的结构和原理
5·5晶闸管与SCR，GTO
5·5·1晶闸管的结构与工作原理
5·5·2SCR(siliconcontrolledrectifier)
5·5·3GTO(gateturnoff)
练习题
第6章MOS型控制器件
6·1场效应晶体管的工作原理
6·1·1场效应晶体管的分类与结构
6·1·2MOS器件的结构
6·2MOS晶体管的电流-电压特性
6·2·1直流输出特性
6·2·2小信号交流特性
6·3MOS晶体管的种类与结构
6·4MOS存储器
6·4·1MOS存储器的分类
6·4·2DRAM与SRAM
6·5CCD与BBD及其电荷转移功能
6·5·1CCD
6·5·2CCD的原理
6·5·3CCD的用途
练习题
第7章异质结器件
7·1GaAS系异质结器件的重要性
7·1·1GaAS系异质结器件是重要的发展趋势
7·1·2GaAS的特征与物理基础
7·2异质结与二维电子气物理
7·2·1载流子关闭引起的二维效应
7·2·2能带结构
7·3HEMT的工作原理和电学特性
7·3·1HEMT的基本结构与高电子迁移率特性
7·3·2HEMT的工作原理
7·3·3电学特性
7·4微波HEMT
7·4·1低噪声HEMT
7·4·2高输出HEMT
7·5超高速数字HEMT
7·5·1基本电路形式和开关特性
7·5·2计数器与可控制性
练习题
练习题简答
参考文献
详细信息：
书名：OHM大学理工系列 半导体器件 作者：滨川 页数：139页 大小：2.3M 格式：pdf
本书主要内容有半导体的电学性质、半导体界面的电子现象，各种半导体二级管、双极型功能器件、MOS 型控制器件及异质结器件等。
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