2. Data Memory->Fual auging->CEDV cfg -> 这里的字面意思是要求的学习循环数，默认20，一般我们是不是只需要循环学习一次就够了？即设置为1.因为我是晚上做的容量学习，做完后充满电就shutdown了，结果第二天来唤醒后max error直接又是100%。所以是否是这个参数设置不对，应该设置为1呢？
TI专家回复：改成0.2C，小电流放电，learn capacity 成功了。前面MAX error出现8%应该是库仑计计算出的容量小于FCC learned学习设定的值，属于FCC learn down，又被限制成2944mAh，所以出现MAX error是8%。
也就是说，第一次老化循环学习，必须要类似阻抗跟踪法的方式一样，以最小的电流放电，电量计更新出最大的FCC，保证MAX error正常。后面再怎么充电放电学习都无所谓了。
FCC learned 相当于阻抗跟踪法的Qmax，手动填写的时候，需要略低于电池老化学习实际的实际值，确保更新状态是在 设计值跟FCC learn up之间，这样MAX error更能更新最佳。
问题：请教下，我用的是bq40z50R1，SOC大概是准了，但是max error始终是100%，FCC也总是比实际电量低，用0.1C放电放空后MAX ERROR仍然是100%，FCC也是比实际的低，是chem_ID有问题吗？
回答：max error是指学习成功了，容量跟补偿点ok。至于你手动改那7个点肯定是不对的，那7个点我也不知道是什么，咨询过FAE，他也明说自己不知道，没有公开的描述的参数，总之就是你电芯匹配的一些值。可以肯定是跟电压，温度，电流，容量，有关系，所以必须按照TI计算流程来。至于你为什么计算不出来，把你数据包发给我看看。
那个requested learning cycle count我也看懂，BQ78350r1这个数据手册没写清楚，属于排版跟描述最烂的一个，找个寄存器描述跟功能设置都要跳跃好几个地方。这个我没有改，当时循环学习成功了，我就没有研究了。
你放电都shutdown了，等于断电重新激活，max error肯定是100%了。跟那个20没有关系。怎么没有设置欠压保护，还有shutdown一般默认是1.75v难不成你放电都比这个电压还低？
回答：
那是因为你的Qmax没有更新，只是物抗表更新了。你把Qmax手动改一下，略微接近电芯最大容量值，再循环学习就可以了。
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本帖最后由 qwqwqw2088 于 2018-9-25 10:56 编辑
前辈你好， 最近在论坛上看到你发表的关于芯片BQ78350-R1的一些问题。 我最近也在学习这块芯片。想请教一下，我每次老化学习(尝试过将FCC Learn UP/Down放宽)，MAX Error都是8%。这个该如何去进行？ 是否需要先将CEDV的7个参数解决才能学习成功？
引用: 管管管安安 发表于 2021-4-19 08:34 前辈你好， 最近在论坛上看到你发表的关于芯片BQ78350-R1的一些问题。 我最近也在学习这块芯片。想请教一下 ...
这些参数是ＣＥＤＶ的必须的，EMF\R0\T0\R1\TC\C1
一定要按照TI提供 的手册有关CEDV 的要求做
首次老化循环学习要先小电流放电，让learn capacity 成功
具体参数要看手册
引用: qwqwqw2088 发表于 2021-4-19 09:33 首次老化循环学习要先小电流放电，让learn capacity 成功 具体参数要看手册
因为我现在FCC学习一直受到FCC Learn Down的影响，Max Error一直为8%。 容量学习成功的标志是在2%吧。 那我需要先测试设定了CEDV的参数，才能学习成功吗？
CEDV是补偿末端放电电压
需要设置
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