[讨论] M57959L IGBT驱动电路介绍

日本三菱公司的M57959L集成IGBT专用驱动芯片它可以作为600V/200A或者1200V/100A的IGBT驱动.其最高频率也达40KHz,采用双电源供电(+15V和-15V)输出电流峰值为±2A,M57959L有以下特点:
(1) 采用光耦实现电器隔离,光耦是快速型的,适合20KHz左右的高频开关运行,光耦的原边已串联限流电阻,可将5V电压直接加到输入侧.
(2) 如果采用双电源驱动技术,输出负栅压比较高,电源电压的极限值为+18V/-15V,一般取+15V/-10V.
(3) 信号传输延迟时间短,低电平—高电平的传输延时以及高电平—低电平的传输延时时间都在1.5μs以下.
(4) 具有过流保护功能.M57962L通过检测IGBT的饱和压降来判断IGBT是否过流,一旦过流,M57962L就会将对IGBT实施软关断,并输出过流故障信号.
(5) M57959的内部结构如图所示,这一电路的驱动部分与EXB系列相仿,但是过流保护方面有所不同.过流检测仍采用电压采样,电路特点是采用栅压缓降,实现IGBT软关断,避免了关断中过电压和大电流冲击;另外,在关断过程中,输入控制信号的状态失去作用,既保护关断是在封闭状态中完成的.当保护开始时,立即送出故障信号,目的是切断控制信号,包括电路中其它有源器件.