所示为SHM115011型集成功率放大器，属于BiMOS（BJT-MOSFET组合）型。从图10-11
(a)所示内部电路中可见，VT1和VT2组成差动输入级，其电路形式为单端输入双端输出结构。VT1的
输出与VT5的基极相连；VI2管输出经VT4、岛组成的电压跟随器的缓冲放大与VT5的发射极相连，这
里插入电压跟随器的目的是为了克服发射极输入时的等效阻抗太低的缺点。VT5则以电流源I2作为有源负
载构成了高增益的中间放大级，同时该电路形式为最简单的双端输入单端输出结构。VT7、VT8构成互补
对称电路，作为驱动级，用于驱动vr9和VTIQ构成输出级。
    VT6、R9、RlO组成恒压源电路，其作用是为VT7、VT8提供适当的直流偏置电压，以防止VT9、VT10
产生交越失真。
    Rf和Rz构成反馈网络，并引入电压串联负反馈，从而达到稳定增益和静态工作点的目的。
    SHMll50Ⅱ型电路由于输出级采用了VMOS管，输出功率得到很大提高。该电路可在±12--士50v
电压下正常工作，电路的最大输出功率可达150W。