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DUAL OP-AMP, 2500 uV OFFSET-MAX, 0.5 MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
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Advanced LinCMOS™ Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
Advanced LinCMOS™ Rail-To-Rail Output Wide-Input-Voltage Dual Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125
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TLV2432IDR放大器基础信息：
TLV2432IDR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP,
TLV2432IDR放大器核心信息：
TLV2432IDR的最低工作温度是-40 °C，最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.00015 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，TLV2432IDR的标称压摆率有0.25 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，TLV2432IDR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为500 kHz。
TLV2432IDR的标称供电电压为3 V。而其供电电压上限为12 VTLV2432IDR的输入失调电压为2500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
TLV2432IDR的相关尺寸：
TLV2432IDR的宽度为：3.9 mm，长度为4.9 mmTLV2432IDR拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚：8
TLV2432IDR放大器其他信息：
其温度等级为：INDUSTRIAL。而其湿度敏感等级为：NOT SPECIFIED。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G8。其对应的的JESD-609代码为：e0。
TLV2432IDR的封装代码是：SOP。TLV2432IDR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。TLV2432IDR封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE。其端子形式有：GULL WING。
座面最大高度为1.75 mm。
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