QUAD OP-AMP, 5200uV OFFSET-MAX, 9MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14
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器件标准:
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TLV2634IDRG4是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-14TLV2634IDRG4的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °...
TLV2634IDR放大器基础信息:
TLV2634IDR是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, SOIC-14
TLV2634IDR放大器核心信息:
TLV2634IDR的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为220; 260他的最大平均偏置电流为0.0002 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLV2634IDR的标称压摆率有6 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLV2634IDR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为9000 kHz。
TLV2634IDR的标称供电电压为5 V。而其供电电压上限为6 VTLV2634IDR的输入失调电压为5200 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
TLV2634IDR的相关尺寸:
TLV2634IDR的宽度为:3.9 mm,长度为8.65 mmTLV2634IDR拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:14
TLV2634IDR放大器其他信息:
其温度等级为:AUTOMOTIVE。而其湿度敏感等级为:1; 2。TLV2634IDR不符合Rohs认证。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G14。
其对应的的JESD-609代码为:e4。TLV2634IDR的封装代码是:SOP。TLV2634IDR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。TLV2634IDR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。
其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.75 mm。