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NCS20064DTBR2G

3MHz, 125µA Low Power Operational Amplifier 3 MHz, 5V, Low Power Op Amp, 2500-REEL

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

器件标准:  

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NCS20064DTBR2G放大器基础信息:

NCS20064DTBR2G是来自ON Semiconductor的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为TSSOP-14

NCS20064DTBR2G放大器核心信息:

NCS20064DTBR2G的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.0015 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.0011 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,NCS20064DTBR2G的标称压摆率有1.2 V/us。厂商给出的NCS20064DTBR2G的最大压摆率为0.2 mA.其最小电压增益为10000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,NCS20064DTBR2G增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3000 kHz。NCS20064DTBR2G的功率为NO。其可编程功率为NO。

NCS20064DTBR2G的标称供电电压为3.3 V。而其供电电压上限为6 VNCS20064DTBR2G的输入失调电压为4000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

NCS20064DTBR2G的相关尺寸:

NCS20064DTBR2G的宽度为:4.4 mm,长度为5 mmNCS20064DTBR2G拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为0.65 mm。

NCS20064DTBR2G放大器其他信息:

NCS20064DTBR2G采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。NCS20064DTBR2G的频率补偿情况是:NO。其温度等级为:AUTOMOTIVE。

其属于微功率放大器。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-PDSO-G14。NCS20064DTBR2G的封装代码是:TSSOP。NCS20064DTBR2G封装的材料多为PLASTIC。

而其封装形状为RECTANGULAR。NCS20064DTBR2G封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.2 mm。

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