1.5KE300,1.5KE300 pdf中文资料,1.5KE300引脚图,1.5KE300电路-Datasheet-电子工程世界

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1.5KE SERIES

瞬变电压抑制二极管

Transient Voltage Suppressor Diodes

■特征

Features

●

1500W

●

6.8V-540V

■外½尺寸和印记

Outline Dimensions and Mark

DO-201AD

1.0(25.4)

MIN

.375(9.50)

.335(8.50)

1.0(25.4)

MIN

.052(1.30)

.028(0.71)

DIA

Unit: in inches (millimeters)

■用途 Applications

●

箝½电压用 Clamping

Voltage

.220(5.60)

.197(5.00)

DIA

■极限值（绝对最大额定值）

Limiting Values (Absolute Maximum Rating)

参数名称

Item

最大损耗功率

Peak power dissipation

最大脉冲电流

Peak pulse current

功率损耗

Power dissipation

最大正向浪涌电流

Peak forward surge current

工½结温和存储温度范围

Operating junction and storage

temperature range

符号

Symbol

PPPM

IPPM

IFSM

TJ,TSTG

单½

Unit

℃

条件

Conditions

在10/1000us 波½下测试

with a 10/1000us waveform

在10/1000us 波½下测试

with a 10/1000us waveform

无限散热片@

TL=75℃

on infinite heat sink at TL=75℃

8.3ms正弦半波，仅单向型

8.3 ms single half sine-wave unidirectional only

最大值

Max

1500

见下面表格

See Next Table

6.5

200

-55 to +175

■电特性（T

a=25

℃

除非另有规定）

Electrical Characteristics（Ta=25

℃

Unless otherwise specified）

参数名称

Item

最大瞬间正向电压（1）

Maximum instantaneous forward

Voltage（1）

典型热阻

Thermal resistance

符号

Symbol

θJA

θJL

单½

Unit

℃/W

条件

Conditions

在25A下测试，仅单向型

at 25A for unidirectional only

结到环境

junction to ambient

结到引线

junction to lead

最大值

Max

3.5/5.0

15.4

备注：Notes:

1. VF=3.5V适用于1.5KE220(A)及其以下型号；VF=5.0V适用于1.5KE250(A)及其以上型号

VF = 3.5 V for 1.5KE220(A) and below; VF = 5.0 V for 1.5KE250(A) and above

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1.5KE SERIES

■电性参数

(TA=25

℃

除非另有规定)

Electrical Characteristics (TA=25

℃

unless otherwise noted)

产品型号

（单向）

Part

Number(U

ni)

1.5KE6.8

1.5KE6.8A

1.5KE7.5

1.5KE7.5A

1.5KE8.2

1.5KE8.2A

1.5KE9.1

1.5KE9.1A

1.5KE10

1.5KE10A

1.5KE11

1.5KE11A

1.5KE12

1.5KE12A

1.5KE13

1.5KE13A

1.5KE15

1.5KE15A

1.5KE16

1.5KE16A

1.5KE18

1.5KE18A

1.5KE20

1.5KE20A

1.5KE22

1.5KE22A

1.5KE24

1.5KE24A

1.5KE27

1.5KE27A

1.5KE30

1.5KE30A

1.5KE33

1.5KE33A

1.5KE36

1.5KE36A

击穿电压

Breakdown Voltage V

最小

Min(V)

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.00

9.50

9.90

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

18.0

19.0

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

27.0

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

最大

Max (V)

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

10.0

9.55

11.0

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

22.0

21.0

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

33.0

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

测试电流

IT(mA)

1.0

最大反向漏电

流

Maximum

Reverse

Leakage I

(μA)

1000

500

200

5.0

1.0

最大工½电压

RWM

Working Peak

Reverse

Voltage

RWM

(V)

5.50

5.80

6.05

6.40

6.63

7.02

7.37

7.78

8.10

8.55

8.92

9.40

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

最大反向浪涌

电流

IPP

Maximum

Reverse Surge

Current IPP

(A)

139

143

128

133

120

124

109

112

100

103

92.6

96.2

86.7

89.8

78.9

82.4

68.2

70.8

63.8

66.7

56.6

59.5

51.5

54.2

47.0

49.0

43.2

45.2

38.4

40.0

34.5

36.2

31.4

32.8

28.8

30.1

最大箝½电压

Maximum

Clamping

Voltage Vc

@ I

(V)

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

15.0

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

19.0

18.2

22.0

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

52.0

49.9

最大温度系数

Maximum

Temperature

Coefficient of V

(%/°C)

0.057

0.061

0.065

0.068

0.073

0.075

0.076

0.078

0.081

0.084

0.086

0.088

0.089

0.090

0.092

0.094

0.096

0.097

0.098

0.099

产品型号

（双向）

Part

Number(Bi)

1.5KE6.8C

1.5KE6.8CA

1.5KE7.5C

1.5KE7.5CA

1.5KE8.2C

1.5KE8.2CA

1.5KE9.1C

1.5KE9.1CA

1.5KE10C

1.5KE10CA

1.5KE11C

1.5KE11CA

1.5KE12C

1.5KE12CA

1.5KE13C

1.5KE13CA

1.5KE15C

1.5KE15CA

1.5KE16C

1.5KE16CA

1.5KE18C

1.5KE18CA

1.5KE20C

1.5KE20CA

1.5KE22C

1.5KE22CA

1.5KE24C

1.5KE24CA

1.5KE27C

1.5KE27CA

1.5KE30C

1.5KE30CA

1.5KE33C

1.5KE33CA

1.5KE36C

1.5KE36CA

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1.5KE SERIES

■电性参数

(TA=25

℃

除非另有规定)

Electrical Characteristics (TA=25

℃

unless otherwise noted)

产品型号（单

向）

Part

Number(Uni)

1.5KE39

1.5KE39A

1.5KE43

1.5KE43A

1.5KE47

1.5KE47A

1.5KE51

1.5KE51A

1.5KE56

1.5KE56A

1.5KE62

1.5KE62A

1.5KE68

1.5KE68A

1.5KE75

1.5KE75A

1.5KE82

1.5KE82A

1.5KE91

1.5KE91A

1.5KE100

1.5KE100A

1.5KE110

1.5KE110A

1.5KE120

1.5KE120A

1.5KE130

1.5KE150

1.5KE150A

1.5KE160

1.5KE160A

1.5KE170

1.5KE170A

1.5KE180

1.5KE180A

产品型号（双

向）

Part

Number(Bi)

1.5KE39C

1.5KE39CA

1.5KE43C

1.5KE43CA

1.5KE47C

1.5KE47CA

1.5KE51C

1.5KE51CA

1.5KE56C

1.5KE56CA

1.5KE62C

1.5KE62CA

1.5KE68C

1.5KE68CA

1.5KE75C

1.5KE75CA

1.5KE82C

1.5KE82CA

1.5KE91C

1.5KE91CA

1.5KE100C

1.5KE100CA

1.5KE110C

1.5KE110CA

1.5KE120C

1.5KE120CA

1.5KE130C

1.5KE130CA

1.5KE150C

1.5KE150CA

1.5KE160C

1.5KE160CA

1.5KE170C

1.5KE170CA

1.5KE180C

1.5KE180CA

击穿电压

Breakdown Voltage V

最小

Min(V)

35.1

37.1

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

90.0

95.0

99.0

105

108

114

117

124

136

143

144

152

153

162

171

最大

Max (V)

42.9

41.0

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

53.6

61.8

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100.0

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

测试电

流

IT(mA)

1.0

最大反向漏电

流

Maximum

Reverse

Leakage I

(μA)

1.0

最大工½电压

RWM

Working Peak

Reverse

Voltage

RWM

(V)

31.6

33.3

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

43.6

45.4

47.8

50.2

53.0

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

81.0

85.5

89.2

94.0

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

最大反向浪涌

电流

IPP

Maximum

Reverse Surge

Current IPP

(A)

26.6

27.8

24.2

25.3

22.1

23.1

20.4

21.4

18.6

19.5

16.9

17.6

15.3

16.3

13.9

14.6

12.7

13.3

11.5

12.0

10.4

10.9

9.5

9.9

8.7

9.1

8.0

8.4

7.0

7.2

6.5

6.8

6.1

6.4

5.8

6.1

最大箝½电压

Maximum

Clamping

Voltage Vc

@ I

(V)

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

70.1

80.5

77.0

89.0

85.0

98.0

92.0

109

104

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

最大温度系数

Maximum

Temperature

Coefficient of V

(%/°C)

0.100

0.101

0.102

0.103

0.104

0.105

0.106

0.107

0.108

0.106

0.108

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1.5KE SERIES

■电性参数

(TA=25

℃

除非另有规定)

Electrical Characteristics (TA=25

℃

unless otherwise noted)

产品型号（单

向）

Part

Number(Uni)

1.5KE200

1.5KE200A

1.5KE220

1.5KE220A

1.5KE250

1.5KE250A

1.5KE300

1.5KE300A

1.5KE350

1.5KE350A

1.5KE400

1.5KE400A

1.5KE440

1.5KE440A

1.5KE480

1.5KE480A

1.5KE510

1.5KE510A

1.5KE540

1.5KE540A

产品型号

（双向）

Part

Number(Bi)

1.5KE200C

1.5KE200CA

1.5KE220C

1.5KE220CA

1.5KE250C

1.5KE250CA

1.5KE300C

1.5KE300CA

1.5KE350C

1.5KE350CA

1.5KE400C

1.5KE400CA

1.5KE440C

1.5KE440CA

1.5KE480C

1.5KE480CA

1.5KE510C

1.5KE510CA

1.5KE540C

1.5KE540CA

击穿电压

Breakdown Voltage V

最小

Min(V)

180

190

198

209

225

237

270

285

315

333

360

380

396

418

432

456

459

485

486

513

最大

Max (V)

220

210

242

231

275

263

330

315

385

368

440

420

484

462

528

504

561

535

594

567

测试电

流

IT(mA)

1.0

最大反向漏电

流

Maximum

Reverse

Leakage I

(μA)

1.0

最大工½电压

RWM

Working Peak

Reverse

Voltage

RWM

(V)

162

171

175

185

202

214

243

256

284

300

324

342

356

376

389

408

413

434

437

459

最大反向浪涌

电流

IPP

Maximum

Reverse Surge

Current IPP

(A)

5.2

5.5

4.4

4.6

4.2

4.4

3.5

3.6

3.0

3.1

2.6

2.7

2.4

2.5

2.19

2.28

2.06

2.15

1.94

2.03

最大箝½电压

Maximum

Clamping

Voltage Vc

@ I

(V)

287

274

344

328

360

344

430

414

504

482

574

548

631

602

686

658

729

698

772

740

最大温度系数

Maximum

Temperature

Coefficient of V

(%/°C)

0.108

0.110

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1.5KE SERIES

■特性曲线（典型）

Characteristics(Typical)

图

：最大脉冲功率曲线

FIG1:Peak Pulse Power Rating Curve

100

PPP or IPP(%)

图

：脉冲功率或电流与结温关系

FIG2: Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature

100

PPPM(KW)

不重复脉冲波½见图

Non-Repetitive Pulse

Waveform shown in Fige.3

TA=25

℃

1.0

0.1

0.1μs

1.0μs

10μs

100μs

1.0ms

10ms

td(μs)

100

125

150

175

200

（℃）

图3：脉冲波½

FIG3: Pulse Waveform

IPPM(%)

tr=10μs

图

：功率降额曲线

FIG4: Power Derating Curve

PD(W)

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

L=0.375''(9.5mm)

Lead Lengths

60Hz

Resistive or

Inductive Load

150

Peak Value

IPPM

TJ=25

℃

Pulse Width(td) is defined as

the Point where the Peak

Current Decays to 50% of IPPM

100

Half Value - IPP

IPPM

10/1000μs Waveform as

Defined by R.E.A.

2.0

1.0

2.0

3.0

4.0

t（ms）

100

125

150

175

200

（℃）

图

：最大不重复浪涌电流

FIG5: Maximum Non-Repetitive Surge Current

图

：典型瞬态热阻

FIG6:Typical Transient Thermal Impedance

Rth(

℃

/W)

100

IFSM(A)

200

TJ=TJMax.

8.3

毫秒正弦半波

8.3ms Single Half Sine-Wave

100

周波数

Number of Cycles

0.1

0.001

0.01

0.1

100

1000

tp(s)

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为什么PCB地与金属机壳用阻容连接？还有更好的解决办法？: 电子产品接地问题是一个老生常谈的话题，本文单讲其中一小部分，主要内容是金属外壳与电路板的接地问题。我们经常会看到一些系统设计中将PCB板的地(GND)与金属外壳(EGND)之间通常使用一个高压电容C1（1~100nF/2KV）并联一个大电阻R1（1M）连接。那么为什么这么设计呢？图1原理图示意图2实际PCB1、电容的作用从EMS（电磁抗扰度）角度出发，该电容在确保PE与大地连接的基础上，旨在降低可能存在的、以大地电位作为参考的高频干扰信号对电路产生的影响，从而...; btty038 综合技术交流

【第四周颁奖】分享、评论《Vishay光电子博文》尽享精彩好礼！: 活动内详情：分享、评论《Vishay光电子博文》尽享精彩好礼！此活动截止到7月25日就结束了，还有两天参与的时间哟，最后一期的奖品在向你们招手！！！我们公布第四周的获奖者名单哈，看看有没有你的大名出现！获奖名单奖品秀【第四周颁奖】分享、评论《Vishay光...; EEWORLD社区综合技术交流

LED驱动芯片为啥一通电灯就会闪一下呢？: 我使用的LM3409驱动芯片驱动灯珠，12v输入，输出10w,PWM调光，每次一上电就会灯闪一下，然后就正常了，因为这个原因，我设置了一个反相器，初始化直接让PWM为0，但是一上电还是会出现灯闪的原因，然后我修改这两个值，还是没用。奇怪的点在于我把LED驱动模块单独使用，接一个12v电源，然后一个电位器，一通电并没有闪一下，所以是什么原因？电路设计？散热不行？还是电源不稳定的原因？LED驱动芯片为啥一通电灯就会闪一下呢？拿示波器抓一下上电时那个PWM引脚的波形抓过一通电...; xbxdbd 综合技术交流

IBM打造出世界最小晶体管

随着计算机全面进入纳米时代，工程师们发现想要遵循摩尔定律变得越来越难了。1965年，Intel创始人戈登·摩尔提出了提出了“摩尔定律”，即集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔1-2年便会增加一倍，性能也随之翻倍。五十多年来，摩尔定律一直有效，但目前业界的预测是，未来10-15年，在进行三次技术升级后，芯片制造工艺将达到5纳米，这意味着单个晶体管栅极的长度将仅为10个原子大小。在...[详细]
三星、LGD谈不拢液晶面板供应计划可能破局

eeworld网晚间报道：南韩媒体BusinessKorea报导，乐金显示器（LGDisplay）原本计划从7月起提供三星电子电视用的液晶面板，但双方至今仍未签订合约。据业界人士表示，三星和LGD原本计划最晚三月底、四月初要谈妥电视LCD面板的供应和型号问题，并签署合约，但两家公司至今仍未达成共识。夏普去年底突然通知三星，表示将停止供应450万片电视液晶面板，让三星开始担心零组件的供需，因...[详细]
联发科AI技术肚量大智能家庭、移动装置商机两手抓

联发科首款内建AI功能的曦力(Helio)P60智能手机芯片解决方案，在推出不到1个月的时间，就已深获大陆品牌手机客户爱戴下，第2季晶圆厂投片量更是较第1季大增近1倍后，联发科正计划将旗下所有芯片产品线都穿上AI的披风，而可以横跨4C产品市场，同时纵深贯穿高、中、低阶产品定位的NeuroPilotAI平台，自然是公司业务及研发团队最依赖的杀器。在联发科2018年包括电视芯片、智能语音装置芯片，...[详细]
天奕实时室内定位系统搭载自家开发算法

2017FutureCommerce未来商务展，已于4月27日～4月29日于花博争艳馆举办，台湾最大iBeacon应用商天奕科技，此次参展展示了实时室内定位解决方案。此方案基于天奕所独家开发出的IIPS2.0(IntelligentIndoorPositioningSystem2.0)定位算法，民众可现场体验定位效果，一键就能在APP中得知当下位置，后台管理系统，更能实时追踪并显...[详细]
重磅新闻｜灵动微电子获得上海科创集团新一轮战略性投资

上海灵动微电子股份有限公司近日宣布（以下简称“灵动微电子”），已获得上海科创集团旗下海望基金的新一轮战略性投资。此前，灵动微电子还曾获得国内知名投资机构，以及小米、中芯聚源、张江高科、君桐资本、兰璞资本等产业资本的投资。本次融资将加速推动灵动微电子的业务布局与战略落地，帮助公司在技术研发、市场拓展等方面实现更大的突破。灵动微电子成立于2011年，是中国本土通用32位MCU产品及解...[详细]
意法半导体（ST）宣布世平集团为地区分销商

中国，2013年4月8日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体宣布世平集团（WPI）为其大中华与南亚区地区分销商。世平集团是台湾发展最快的电子器件销售企业之一，隶属于亚洲第一大半导体经销商、全球三大电子器件经销商之一的大联大控股。亚太地区电子工业正在持续发展，当地电子企业的发展速度非常快，各个地区特别是中国大陆和台湾的产品设计和创新实力不断增强。意法半导体与世平集团的...[详细]
第二届全球IC企业家大会暨IC China2019上海隆重开幕

由工业和信息化部、上海市人民政府指导，中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的第二届全球IC企业家大会暨第十七届中国国际半导体博览会(ICChina2019)在上海开幕。上海市人民政府副市长许昆林，工业和信息化部电子信息司司长乔跃山，中国半导体行业协会理事长、中芯国际集成电路制造有限公司董事长周子学，美国半导体行业协会轮值主席、美光科技公司总裁兼CEO桑杰·梅赫罗特拉出席开幕...[详细]
上海与中科院推进建设新一轮共建合作平台

在上海科创中心重要承载区的嘉定，上海与中科院推进建设新一轮共建合作平台，强化产学研用协同创新的发展模式。这是从4月11日召开的上海嘉定科技创新中心重要承载区建设联席会议上传出的信息。　　据了解，此次上海市嘉定区与中科院上海技术物理研究所、中科院声学研究所东海研究站等签署合作协议，共建移动能源产业孵化基地、产业技术研究院和临床声学联合实验室等3个共建合作平台。　　根据相关协议，...[详细]
GT Advanced Technologies将向安森美提供高质量CrystX™碳化硅

GTAdvancedTechnologies（GTAT）和安森美半导体（ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。根据该协议，GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX™碳化硅（SiC）材料，用于高增长市场和应用。GTAT总裁兼首席执行官GregKnight说：“我们很高兴...[详细]
深度解读：未来会有足够的硅晶圆吗？

　　由于正在进行或传闻的交易并购的潜在影响，集成电路产业链重要组成部分的硅晶圆正在面临一些新挑战。　　其实这个行业里的并购已经见惯不怪了，频发的并购事件让全球的半导体公司买少见少了。我们也知道，硅晶圆制造商的任务是将未加工的晶圆交给芯片制造商加工，后者将其做成相关的芯片。　　在今年八月份，台湾环球晶圆小吃大，宣布将SunEdison半导体收归囊中。虽然这单交易还在等待各地政府的审批。如果这...[详细]
Microchip启动多年期3亿美元投资计划，扩大在印度业务布局

投资计划包括为生产设施、工程实验室、人才招聘提供资金，以及为地区技术联盟和教育机构提供支持全球领先的智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案供应商MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）今日宣布启动一项为期多年的投资计划，拟投资约3亿美元扩大在全球发展最快的半导体产业中心之一印度的业务。Microchip总裁兼首席执行官GaneshMoorthy表示：...[详细]
年增长31.8%，环球晶前五个月赚翻了！

近日，半导体硅晶圆厂环球晶公布了5月份的营收报告。报告显示，环球晶5月营收为47.79亿元（新台币，下同），仅次于今年三月创下的48.78亿元的历史最高记录，为历史次高。增长方面，月增长4.3%，年增长更是达到30.2%，据统计，环球晶前五个月营收已达到232.72亿元，年增长31.8%。缺货效益，环球晶屡创新高由于第二季进入半导体生产链传统旺季，硅晶圆缺货问题有恶化迹象...[详细]
三星、台积电、Intel 明年决战10nm制程

在今年宣布以14nm制程制作GalaxyS6系列机种使用处理器Exynos7420之后，三星也计画将在2016年年底进入10nm制程技术量产新款处理器产品。而另一方面，预期今年第三季进入16nmFinFET制程技术量产阶段的台积电，也传出将投入大量研发资金确保10nm制程技术发展进度，预期将进一步与三星抗衡，至于Intel方面也确定将在2016年下半年间进入10nm制程技术量产。根...[详细]
赛普拉斯推出汽车级USB-C控制器，用于车载快充设备

加利福尼亚州圣何塞，2018年2月22日——先进嵌入式系统解决方案的领导者赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码：CY）今日宣布推出支持协商供电（PD）功能的高集成度可编程汽车级USB-C控制器。这款适用于汽车的EZ-PD™CCG2控制器通过了USB-IF（USB开发者论坛）的认证，为汽车客户提供即插即用的USB-C用户体验。这款集成控制器符合PD2.0标准，能有效地降低系统成本，提高充电速度...[详细]
贵安超算中心将使用贵州华芯通处理器

2017数博会首个重要活动“贵安·国际数字经济论坛”开幕式上,由贵州华芯通半导体技术有限公司与中科曙光共同建设的贵安超算中心正式启动建设。建成后,浮点运算速度将超千万亿次每秒,将为贵州信息产业的科技创新和进步提供强有力的支持,为西部地区科技研发和经济发展起到重要的助推作用。　　贵安超算中心是贵州华芯通将科研成果转化为商业应用的关键一步。　　公司CEO汪凯介绍,贵安超算中心项目中,将使...[详细]