电子工程世界

Datasheet

型号

型号
关键词

首页

技术: 模拟电子; 单片机; 半导体; 电源管理; 嵌入式; 传感器

应用: 汽车电子; 工业控制; 家用电子; 手机便携; 安防电子; 医疗电子; 网络通信; 测试测量; 物联网

大学堂: 首页; 直播; 专题; TI 培训

论坛: TI 技术论坛; ST MEMS 传感器技术; 单片机; 电机驱动控制; 模拟电子; 电源技术; PCB 设计; RF/无线; 电子竞赛; DIY/开源硬件专区; 颁奖专区

活动中心: 直播; 发现活动; 颁奖区

电子头条

参考设计

下载中心: 分类资源; 文集; 排行榜; 电路图

Datasheet

首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

1.5SMC43

保护瞬态电压抑制器

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：强茂(PANJIT)

厂商官网：http://www.panjit.com.tw/

器件标准： Rohs认证

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

强茂(PANJIT)

零件包装代码

DO-214AB

包装说明

R-PDSO-C2

针数

2

Reach Compliance Code

_compli

ECCN代码

EAR99

最大击穿电压

47.3 V

最小击穿电压

38.7 V

配置

SINGLE

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

JEDEC-95代码

DO-214AB

JESD-30 代码

R-PDSO-C2

最大非重复峰值反向功率耗散

1500 W

元件数量

1

端子数量

2

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-55 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性

UNIDIRECTIONAL

最大重复峰值反向电压

34.8 V

表面贴装

YES

技术

AVALANCHE

端子形式

C BEND

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

hub usb功能测试求大神指点: 小弟公司是从事自动化设备开发的，现有一个测试项目客户产品hubusb需要做一些功能测试如下：A口数据读速度：输入电压12.4V，侦测USB3.0读速度，读速度80-100MB/sA口数据写速度：输入电压12.4V，侦测USB3.0写速度，写速度80-100MB/sA口数据平均速度：输入电压12.4V，侦测USB3.0平均速度，平均速度80-100MB/sTF卡读速度：输入电压12.4V，侦测TF卡读速度TF卡写速度：输入电压12.4V，侦测TF卡写速度carlif...; 张三三666 综合技术交流

使用Reset&Halt After bootloader复位策略: 许多MCU配置了一个独立的启动ROM，包含处理器复位并跳转到用户应用程序之前执行的代码。启动ROM的工作包含设置时钟，启用调试接口，根据不同的引导源初始化外围设备等等当然，不同MCU的启动ROM行为并不相同。实际上，启动ROM的行为在同一设备的两个硬件版本之间也会有变化。问题调试体系架构没有规定如何设计启动ROM或其行为，因此在启动ROM执行之后，无法为MCU实现一种通用的复位方法，让其暂停在用户应用程序的第一条指令上。处理器需要一个特定...; MamoYU 综合技术交流

《了不起的芯片》阅读活动6成为芯片工程师: 芯片工程师是一种高度专业化的职业，需要具备深厚的电子工程知识和技术背景。这个职业涵盖了从物理设计到逻辑设计，再到电路设计等各个层面。芯片工程师需要了解和掌握各种硬件描述语言、设计工具和硬件仿真技术，同时还需要具备出色的分析和解决问题的能力。芯片设计工程师的日常是怎样的呢？一般来说，他们的工作日是从早上9点开始的。首先，他们会列好今日的待办事项，包括设计任务、仿真测试、电路调试等等。接下来，他们会进入深度工作时间，这个时间段通常是从早上9:30到中午11:30。在这个时间段里，他们会专注于设...; 还没吃饭综合技术交流

2015年TI LED显示屏与DCDC解决方案研讨会纪实: 2015年TILED显示屏与DCDC解决方案研讨会纪实9月23日，骄阳似火的深圳挡不住LED显示屏与电源行业从业者的热情，各路精英齐聚深圳益田威斯汀酒店，参加德州仪器半导体公司的LED显示屏与DCDC解决方案研讨会，聆听德州仪器最新的技术进展，分享讨论在行业难题的解决手段和技术措施。TI首先从公司自身的发展历程、运营现状、产品线进行了介绍，包括优势突出的模拟和嵌入式处理器的产品线，逻辑接口与DLP,计算器等产品，同时说明了中国以及深圳本地的技术和销售支持，特别是着重介绍了本...; mars4zhu 综合技术交流

（转）SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM 区别: 特点简介：SRAM：静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。DRAM：动态RAM，需要刷新，容量大。SDRAM：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。DDRSDRAM：双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。具体解释一：什么是DRAM　　DRAM的英文全称是\'DynamicRAM\...; 白丁综合技术交流