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1F3

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
O-PALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.3 V
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流
30 A
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向恢复时间
0.15 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
1F1~1F7
FAST RECOVERY PLASTIC RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• High current capability.
.787(20.0)MIN.
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
R-1
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low leakage.
• Fast switching for high efficiency.
.138(3.5)
.025(.64)
.021(.53)
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.787(20.0)MIN.
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, R-1
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0068 ounce, 0.1937 gram
.114(2.9)
.102(2.6)
.087(2.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
J
, T
S T G
1F1
50
35
50
1F2
100
70
100
1F3
200
140
200
1F4
400
280
400
1 .0
30
1 .3
5 .0
500
12
1F5
600
420
600
1F6
800
560
800
1F7
1000
700
1000
U N IT S
V
V
V
A
A
V
µ
A
pF
150
67
250
500
O
ns
C / W
O
-5 5 to +1 5 0
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
with 0.22 x 0.22” ( 5.5 x 5.5mm ) copper pads.
STAD-MAR.03.2009
1
PAGE . 1
1F1~1F7
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
, AMPERES
30
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
AVERAGE FORWARD RECTIFIED
CURRENT, AMPERES
3.0
2.5
2.0
MAXIMUM AVERAGE CURRENT R
AING
SINGLEPHASE, HALF-WAVE,60Hz R
ESISTIVE
OR INDUCTIVELOAD .375"(9m m) LEAD LENGTH
25
20
1.5
1.0
15
10
0.5
0
0
50
100
O
5
150
0
1
2
6
10
20
40
60
100
AMBIENT TEMPERATURE, C
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,
AMPERES
10
100
Tj= 25 C
f= 1.0MHz
Vsig = 50mVp -p
O
1.0
CAPACITANCE, pF
T = 2 5
O
C
J
0.1
10
.0 1
1
0.1
.00 1
0.3
1
10
100
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig.3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
Fig.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
A
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT ,
m
1000
100
T
J
= 150 C
O
10
T
J
= 100
O
C
1.0
T
J
= 25 C
O
0.1
20
40
60
80
100
120
140
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%
Fig.5-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
STAD-MAR.03.2009
1
PAGE . 2
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