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1N4614-35T/B

Zener Diode, 1.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
DO-35
包装说明
O-GALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JEDEC-95代码
DO-35
JESD-30 代码
O-GALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
1.8 V
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
文档预览
1N4614 SERIES
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
1.8 to 6.2 Volts
POWER
500mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Rating
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=100mA
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Notes 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
TOT
V
F
R
θJA
T
J
T
STG
Value
500
1
300
-55 to +175
-55 to +175
Units
mW
V
O
C/W
O
C
C
O
NOTES :
1. Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
February 22,2011-REV.00
PAGE . 1
1N4614 SERIES
No mi na l Ze ne r Vo lta g e
Part
Number
No m.V
1N4614
1N4615
1N4616
1N4617
1N4618
1N4619
1N4620
1N4621
1N4622
1N4623
1N4624
1N4625
1N4626
1N4627
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
Max. Zener Impedance
Max. Reverse Leakage Current
Marking
Code
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
1N4614
1N4615
1N4616
1N4617
1N4618
1N4619
1N4620
1N4621
1N4622
1N4623
1N4624
1N4625
1N4626
1N4627
V
Z
@ I
ZT
Mi n.V
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
Ma x.V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
Ω
1200
1250
1300
1400
1500
1600
1650
1700
1650
1600
1550
1500
1400
1200
Z
ZT
@ I
ZT
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
μA
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
I
R
@ V
R
February 22,2011-REV.00
PAGE . 2
1N4614 SERIES
P
D
, Power Dissipation (W)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
C
J
, Junction Capacitance (pF)
1000
at zero bias
100
at V
R
= 2V
10
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
T
L
, Lead Temperature (°C)
V
R
, Reverse Bias Voltage (V)
Fig.1 Power Derating Curve
2.0V
2.2V
2.4V
3.6V
4.3V
4.7V
Fig.2 Typical Junction Capacitance
I
R
,Leakage Current (μA)
60
50
40
30
20
10
0
0
1
T
J
= 25°C
1000
I
F
, Forward Current
(mA)
T
J
= 125°C
100
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= 75°C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
2
3
4
5
V
R
, Reverse Voltage (V)
V
F
, Forward Voltage (V)
Fig.3 Typical Leakage Characteristics
2.0V
2.2V
2.4V
3.6V
4.3V
4.7V
Fig.4 Typical Forward Characteristics
I
Z
,Leakage Current (mA)
60
50
40
30
20
10
0
2.0
T
J
= 25°C
3.0
4.0
5.0
6.0
V
Z
, Reverse Voltage (V)
Fig.5 Typical Zener Characteristics
February 22,2011-REV.00
PAGE . 3
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