首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

1N4689T/B

Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:  

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
DO-35
包装说明
O-LALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JEDEC-95代码
DO-35
JESD-30 代码
O-LALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
5.1 V
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
文档预览
1N4678 SERIES
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
1.8 to 43 Volts
POWER
500mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Rating
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=100mA
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Notes 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
TOT
V
F
R
θJA
T
J
T
STG
Value
500
1
300
-55 to +175
-55 to +175
Units
mW
V
O
C/W
O
C
C
O
NOTES :
1. Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
February 23,2011-REV.00
PAGE . 1
1N4678 SERIES
No mi na l Ze ne r Vo lta g e
Part
Number
No m.V
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
27.0
28.0
30.0
33.0
36.0
39.0
43.0
Max. Zener Impedance
Max. Reverse Leakage Current
Marking
Code
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.1
5.7
6.2
6.6
6.9
7.6
8.4
9.1
9.8
10.6
11.4
12.1
12.9
13.6
14.4
15.2
16.7
18.2
19.0
20.4
21.2
22.8
25.0
27.3
29.6
32.6
1N4678
1N4679
1N4680
1N4681
1N4682
1N4683
1N4684
1N4685
1N4686
1N4687
1N4688
1N4689
1N4690
1N4691
1N4692
1N4693
1N4694
1N4695
1N4696
1N4697
1N4698
1N4699
1N4700
1N4701
1N4702
1N4703
1N4704
1N4705
1N4706
1N4707
1N4708
1N4709
1N4710
1N4711
1N4712
1N4713
1N4714
1N4715
1N4716
1N4717
V
Z
@ I
ZT
Mi n.V
1.710
1.900
2.090
2.280
2.565
2.850
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.265
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
Ma x.V
1.890
2.100
2.310
2.520
2.835
3.150
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.135
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
Ω
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Z
ZT
@ I
ZT
mA
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
μA
7.50
5.00
4.00
2.00
1.00
0.80
7.50
7.50
5.00
4.00
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
I
R
@ V
R
February 23,2011-REV.00
PAGE . 2
1N4678 SERIES
P
D
, Power Dissipation (W)
0.6
1000
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
I
F
, Forward Current
(mA)
T
J
= 125°C
100
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= 75°C
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T
L
, Lead Temperature (°C)
V
F
, Forward Voltage (V)
Fig.1 Power Derating Curve
Fig.2 Typical Forward Characteristics
2.0V
4.3V
3.6V
3.3V
3.0V
6.2V
5.6V
4.7V
10V
11V
22V
60
I
R
,Leakage Current (μA)
50
40
30
20
10
T
J
= 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
V
R
, Reverse Voltage (V)
Fig.3 Typical Reverse Characteristics
6.2V
5.6V
4.7V
4.3V
3.6V
3.3V
3.0V
10V
11V
22V
30
2.0V
I
Z
, Leakage Current (mA)
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
T
J
= 25°C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
V
Z
, Reverse Voltage (V)
Fig.4 Typical Zener Characteristics
February 23,2011-REV.00
PAGE . 3
查看更多>
2014年Microchip开发工具5月促销,最高55折优惠!
疯狂放价时间:即日起-5月31日值此欢庆“国际劳动节”之际,为答谢广大新老客户,Microchip以指定开发工具最高55折*的优惠价格,为中国大陆、香港和台湾地区的工程师献上大礼。活动详情:2014年Microchip开发工具5月促销促销产品快速一览:2014年Microchip开发工具促销列表快来抢购吧!!!\0\0\0eeworldpostqq2014年Microchip开发工具5月促销,最高55折优惠!本次促销的工具中,就有网友之前一直关注的:PICkit...
EEWORLD社区 综合技术交流
有研究无线输电的吗
有研究无线输电的吗,一起交流哦。本人今年初的时候研究过基于感应原理的无线输电,仔细阅读过WPC的协议文档(WirelessPowerConsortium).为此还花钱买了一些仪器和元器件,当时做的实验比较成功。设计的电路能从QI充电设备稳定的获取能量。不过后来仔细分析市场,觉得自己做这个产品不是很成熟,就放弃了。后续会将实验过程的笔记分享出来。不过基于谐振原理的无线输电当前还是比较前端的,能解决基于感应输电的种种不足。有兴趣大家一起交流有研究无线输电的吗我之前做过这个。可以一...
IamFoxdeng 综合技术交流
电路图频道升级啦,快快来围观~
EEWorld电路图频道升级啦~自上次调研活动后,收到了许多热心网友的建议和意见,我们筛选整理了一些中肯的建议,对电路图频道进行了优化和改进。以下是一些升级亮点,快快来体验吧!https://www.eeworld.com.cn/circuit/1、提问/讨论功能提供了一个沟通交流的入口,您提出的问题会被发表到论坛,方面更多网友发现并得到及时的回答2、评论功能发表您对电路图内容的看法3、收藏功能...
arui1999 综合技术交流
有奖直播:是德科技测试测量峰会-高速数字论坛 直播中!
有奖直播:是德科技测试测量峰会-高速数字论坛直播中!点击进入直播直播时间:2023年3月31日(周五)下午14:0016:10直播主题:是德科技测试测量峰会-高速数字论坛直播介绍:世界正在变得更加数字化、互联化和智能化,算力成为社会重要生产力之一,数据中心成为数字化转型发展的基础设施。大数据、人工智能、云计算等领域的发展,服务器内的高速硬件数据交互需求也变得愈发紧迫。作为先进的解决方案提供商,是德科技一直致力于为业界提供先进的测试、仿真和模拟方案,是...
EEWORLD社区 综合技术交流
CB140核心板电压值差异解答
问:在CB140的核心板上直接加3.3V的电压的测试结果,表现为问题1答:有可能是PWM2被干扰,悬空时,采样的值会跟实测差别比较大。myimx6ek140p-6y-256m-emmc.dtb这个设备树配置的是input1和input2,imx6ull-14x14-evk.dtb配置了input1~input4,从核心板金手指飞线出来,注意别飞错线。CB140核心板电压值差异解答...
明远智睿Lan 综合技术交流