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1N5227B

稳压齐纳二极管
硅, 稳压二极管, DO-35

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网:http://www.21yangjie.com/

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器件:1N5227B

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code
compli
配置
SINGLE
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
24 Ω
元件数量
1
最高工作温度
175 °C
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
3.6 V
表面贴装
NO
工作测试电流
20 mA
文档预览
1N5221B~1N5267B
Zener diode
Features
1.High reliability
2.Very sharp reverse characteristic
3.Low reverse current level
4.Vz-tolerance
*
5%
Voltage Range
2.4 to 75 Volts
DO-35
1.02(26.0)
MIN
.079(2.0)
MAX
.165(4.2)
MAX
Applications
Voltage stabilization
1.02(26.0)
MIN
Absoluto Maximum Ratings
0
Tj=25 C
Parameter
Power dissipation
Z-current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
T
amb
*75
0
C
Type
.020(.52)
TYP
Dimensions in inches and (millimeters)
Symbol
P
D
l
z
Tj
Tstg
Value
500
P
D
/V
z
200
-65~+200
Unit
mW
mA
0
C
0
C
Maximum Thermal Resistance
Tj=25
0
C
Parameter
Junction ambient
Test Condltions
I=9.5mm(3/8") T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrcal Characteristics
Tj=25
0
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
l
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
Type
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
Vznom
V
2.4
2.5
2.7
2.8
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
lzt for Vzt and Rzt
mA
*
20
<30
20
<30
20
<30
20
<30
20
<29
20
<28
20
<24
20
<23
20
<22
20
<19
20
<17
20
<11
20
<7
20
<7
20
<5
20
<6
20
<8
20
<8
20
<10
20
<17
20
<22
20
<30
9.5
<13
9.0
<15
8.5
<16
7.8
<17
7.4
<19
7.0
<21
6.6
<23
6.2
<25
5.6
<39
5.2
<33
5.0
<35
4.6
<41
4.5
<44
4.2
<49
3.8
<58
3.4
<70
3.2
<80
3.0
<93
2.7
<105
2.5
<125
2.2
<150
2.1
<170
2.0
<185
1.8
<230
1.7
<270
R
zk
*
<1200
<1250
<1300
<1400
<1600
<1600
<1700
<1900
<2000
<1900
<1600
<l600
<1600
<1000
<750
<500
<500
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<700
<700
<800
<900
<1000
<1100
<1300
<1400
<1400
<1600
<1700
at
l
zk
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
l
R
at V
R
uA
<100
<100
<75
<75
<50
<25
<15
<10
<5
<5
<5
<5
<5
<5
<3<3
<3
<3
<3
<3
<2
<1
<0.5
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
39
43
46
47
52
58
TK
vz
%/K
<-0.085
<-0.085
<-0.080
<-0.080
<-0.075
<-0.070
<-0.065
<-0.060
<+0.055
<+0.030
<+0.030
<+0.038
<+0.038
<+0.045
<+0.050
<+0.058
<+0.062
<+0.065
<+0.068
<+0.075
<+0.076
<+0.077
<+0.079
<+0.082
<+0.082
<+0.083
<+0.084
<+0.085
<+0.086
<+0.086
<+0.087
<+0.088
<+0.089
<+0.090
<+0.091
<+0.091
<+0.092
<+0.093
<+0.094
<+0.095
<+0.095
<+0.096
<+0.096
<+0.097
<+0.097
<+0.097
<+0.098
1)Based on DC-measurement at thermal equilibrium while maintaining the lead temperature (T
L
)at 30
0
C,
9.5mm(3/8") from the diode body.
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