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1N5951B

120 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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1N5951B 在线购买

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器件:1N5951B

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
380 Ω
元件数量
1
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
1.5 W
标称参考电压
120 V
表面贴装
NO
最大电压容差
5%
工作测试电流
3.1 mA
文档预览
DATA SHEET
1N5913B~1N5956B
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Low profile package
1.0(25.4)MIN.
3.3 to 200 Volts
POWER
1.5 Watts
DO-41
Unit: inch(mm)
• Built-in strain relief
• Low inductance
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Pb free product are available : 99% Sn can meet RoHS environment
substance directive request
.034(.86)
.028(.71)
MECHANICALDATA
Case: JEDEC DO-41,Molded plastic over passivated junction.
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
Standard packing: 52mm tape
Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram
.205(5.2)
.160(4.1)
.107(2.7)
1.0(25.4)MIN.
.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
DC Power Dissipation on T
A
=75
O
C ,Measure at Zero Lead Length
Derate above 75
O
C ( NOTE 1)
Operating Junction and StorageTemperature Range
Symbol
Value
1. 5
-50 to +150
Units
Watts
O
P
D
T
J
, T
STG
C
NOTES:
1.Mounted on 5.0mm2 (.013mm thick) land areas.
REV.0-MAR.23.2005
PAGE . 1
N o m i na l Ze ne r V o l t a g e
Part Number
No m. V
1N5913B
1N5914B
1N5915B
1N5916B
1N5917B
1N5918B
1N5919B
1N5920B
1N5921B
1N5922B
1N5923B
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1N5937B
1N5938B
1N5939B
1N5940B
1N5941B
1N5942B
1N5943B
1N5944B
1N5945B
1N5946B
1N5947B
1N5948B
1N5949B
1N5950B
1N5951B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
M a x. V
3.47
3.78
4.1
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
O hm s
10
9
7.5
6
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
M a x i m u m Z e n e r Im p e d a n c e
Z
ZT
@ I
ZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
Z
ZK
@ I
ZK
O hm s
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Maximum
Leakage Current
I
R
µA
50
35.5
12.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
R
V
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
REV.0-MAR.23.2005
PAGE . 2
N o m i na l Ze ne r V o l t a g e
Part Number
No m. V
1N5952B
1N5953B
1N5954B
1N5955B
1N5956B
130
150
160
180
200
V
Z
@ I
ZT
M i n. V
123.5
142.5
152
171
190
M a x. V
136.5
157.5
168
189
210
O hm s
450
600
700
900
1200
M a x i m u m Z e n e r Im p e d a n c e
Z
ZT
@ I
ZT
mA
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
Z
ZK
@ I
ZK
O hm s
5000
6000
6500
7000
8000
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
Maximum
Leakage Current
I
R
µA
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
R
V
98.8
114
121.6
136.8
152
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qvz,
TEMPERATURE COEFICENT (mV/
O
C)
MAXIMUM POWER DISSIPATION, Watts
2.5
2
1.5
1
0.5
0
10
8
6
4
2
0
-2
-4
2
4
6
8
10
12
V @I
Z ZT
0
20
40
60
80
100
120 140 150 180
LEAD TEMPERATURE, C
O
V , ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Z
Fig.1 Steady State Power Derating
Fig.2 T
emperature coeeficient v.s. zener voltage,Vz(V)
qvz,
TEMPERATURE COEFICENT (mV/
O
C)
200
100
70
50
30
20
10
10
20
30
50
V @I
Z
ZT
Zz, DYNAMIC IMPEDANCE (OHMS)
1K
5 00
2 00
1 00
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
T = 2
O
C
25
J
I (r ms ) = 0 . 1 I (dc)
Z
Z
22V
12V
6.8 V
50 100
200
500
Vz, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Iz, ZENER TEST CURRENT (mA)
Fig.3 T
emperature coeeficient v.s. zener voltage,Vz(V)
Fig.4 Z
ener impedance v.s. zener current
1K
200
100
70
50
30
20
10mA
I Z (dc)=1mA
Ppk, PEAKSURGE POWER (WATTS)
Zz, DYNAMIC IMPEDANCE (OHMS)
500
300
200
100
50
30
20
10
0.1 0.20.3 0.5
RECTANGULAR
NONREPETITIVE
WAVEFORM
O
T J =25 C PRIOR
TO INTIAL PULSE
10
7
5
3
2
20mA
I Z (rms)=0.1I Z (dc)
5
7
10
20 3 0
40
50 60
70
100
1
2 3
5
10 20 30 50
100
Vz, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
PW, PULSE WIDTH (ms)
Fig.5 Z
ener impedance v.s. zener voltage
Fig.6 Maximum Surge Power
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100
Iz, ZENER CURRENT (mA)
100
Iz, ZENER CURRENT (mA)
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
Vz, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Vz, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
Fig.7 Vz = 6.8 thru 10 Volts
Fig.8 Vz = 12 thru 82 Volts
NOTE 3. ZENER VOLTAGE (Vz) MEASUREMENT
Nominal zener voltage is measured with the device function in thermal equilibrium with ambient
O
temperature at 25 C
NOTE 4. ZENER IMPEDANCE (Zz) DERIVATION
Zzt and Zzk are measured by dividing the ac voltage drop across the device by the accurrent applied.
The specified limits are for Iz(ac) = 0.1 Iz, (dc) with the ac freqency = 60Hz
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