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1N748AT/B

Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
DO-35
包装说明
O-LALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JEDEC-95代码
DO-35
JESD-30 代码
O-LALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
3.9 V
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
文档预览
1N746A SERIES
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
3.3 to 12 Volts
POWER
500mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Rating
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Notes 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
TOT
R
θJA
T
J
T
STG
Value
500
300
-55 to +175
-55 to +175
Units
mW
O
C/W
O
C
C
O
NOTES :
1. Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
August 23,2011-REV.00
PAGE . 1
1N746A SERIES
No mi na l Ze ne r Vo lta g e
Part
Number
No m.V
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
Max. Zener Impedance
Max. Reverse Leakage Current
Marking
Code
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
V
Z
@ I
ZT
Mi n.V
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
9.50
11.4
Ma x.V
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
10.5
12.6
Ω
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
Z
ZT
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
μA
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@ V
R
P
D
, Power Dissipation (W)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
180
C
J
, Junction
Capacitance (pF)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
5
5.1V
12V
10
15
3.3V
T
A
, Ambient Temperature (°C)
V
Z
, Reverse Bias Voltage (V)
Fig.1 Steady-State Power Derating Curve
Fig.2 Typical Junction Capacitance
I
R
, Leakage Current (μA)
I
R
, Leakage Current (μA)
10
T
J
= 25°C
1
0.1
0.01
0.001
5.1V
0.0001
0
0.5
1
1.5
12V
3.3V
10
T
J
= 175°C
1
3.3 V
0.1
12 V
0.01
5.1V
0.001
0
0.5
1
1.5
V
R
, Reverse Voltage (V)
V
R
, Reverse Voltage (V)
Fig.3 Typical Leakage Characteristics
August 23,2011-REV.00
Fig.4 Typical Leakage Characteristics
PAGE . 2
1N746A SERIES
1000
I
F
, Forward Current (A)
50
I
Z
, Zener Current (mA)
T
J
= 175°C
100
T
J
= 150°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
3.3V
5.1V
12V
10
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
10
15
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
F
, Forward Voltage (V)
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.5 Typical Forward Characteristics
Fig.6 Typical Zener Characteristics
50
I
Z
, Zener Current (mA)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
T
J
= 175°C
3.3V
5.1V
12V
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.7 Typical Zener Characteristics
August 23,2011-REV.00
PAGE . 3
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