首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

1N754AB

Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
DO-35
包装说明
O-LALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JEDEC-95代码
DO-35
JESD-30 代码
O-LALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
标称参考电压
6.8 V
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
Base Number Matches
1
文档预览
1N746A SERIES
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
3.3 to 12 Volts
POWER
500mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Mounting Position: Any
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Rating
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Notes 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
TOT
R
θJA
T
J
T
STG
Value
500
300
-55 to +175
-55 to +175
Units
mW
O
C/W
O
C
C
O
NOTES :
1. Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
August 23,2011-REV.00
PAGE . 1
1N746A SERIES
No mi na l Ze ne r Vo lta g e
Part
Number
No m.V
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
Max. Zener Impedance
Max. Reverse Leakage Current
Marking
Code
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
V
Z
@ I
ZT
Mi n.V
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
9.50
11.4
Ma x.V
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
10.5
12.6
Ω
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
Z
ZT
@ I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
μA
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@ V
R
P
D
, Power Dissipation (W)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
180
C
J
, Junction
Capacitance (pF)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
5
5.1V
12V
10
15
3.3V
T
A
, Ambient Temperature (°C)
V
Z
, Reverse Bias Voltage (V)
Fig.1 Steady-State Power Derating Curve
Fig.2 Typical Junction Capacitance
I
R
, Leakage Current (μA)
I
R
, Leakage Current (μA)
10
T
J
= 25°C
1
0.1
0.01
0.001
5.1V
0.0001
0
0.5
1
1.5
12V
3.3V
10
T
J
= 175°C
1
3.3 V
0.1
12 V
0.01
5.1V
0.001
0
0.5
1
1.5
V
R
, Reverse Voltage (V)
V
R
, Reverse Voltage (V)
Fig.3 Typical Leakage Characteristics
August 23,2011-REV.00
Fig.4 Typical Leakage Characteristics
PAGE . 2
1N746A SERIES
1000
I
F
, Forward Current (A)
50
I
Z
, Zener Current (mA)
T
J
= 175°C
100
T
J
= 150°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
3.3V
5.1V
12V
10
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
10
15
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
F
, Forward Voltage (V)
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.5 Typical Forward Characteristics
Fig.6 Typical Zener Characteristics
50
I
Z
, Zener Current (mA)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
T
J
= 175°C
3.3V
5.1V
12V
V
Z
, Zener Voltage (V)
Fig.7 Typical Zener Characteristics
August 23,2011-REV.00
PAGE . 3
查看更多>
红外
通过红外让我懂得了中断这么一词;让我更加了解定时器这么一词。。嗨。。实在是初生。自己编写的发射代码。。发射约定和电视遥控一样撒,,,怎么就是控制不了电视呢?嗨。。。嗨,,,伤不起撒。。。求解释不。。我感觉需要把每段高电平和每段低电平的时间都测试出来。。。下面是一个载波函数。。voidx_KHz(ucharaa)//是发射38KHZ的程序{for(aa;aa0;aa--)//这个for语句可以得到26.3波特率{sen...
liao779015 综合技术交流
像2301那种mos导通后,VDS电压是0吗?也就是没有损耗?仿真是没有损耗的
像2301那种mos导通后,VDS电压是0吗?也就是没有损耗?仿真是没有损耗的像2301那种mos导通后,VDS电压是0吗?也就是没有损耗?仿真是没有损耗的没有损耗是不可能的。现代MOS管,导通电阻可以低到毫欧级,也就是说,损耗很小。但损耗不可能为零。既然已知MOS管型号,查查该型号MOS管手册,里面必定有导通电阻这个参数。MOS管都有内阻的,有内阻就有损耗楼主应该这么思考:如果真的压降为0,说明MOS管成了超导体,如此就轻易实现了超导,那将彻底改变整个人类的工业文...
QWE4562009 综合技术交流
有懂CPLD的帮我看一下这个板子怎么样
看到mouser上有一个CPLD开发板挺便宜的在网上找了一下,没找到更详细的资料想请问,用它来读到高速AD的数据(80MSPS*14bit),然后发送到电脑能实现吗?http://www.mouser.cn/ProductDeta...lDQZPTpGN11Aw%3d%3d有懂CPLD的帮我看一下这个板子怎么样或者这个怎么样?资料好像都很难找到http://www.mouser.cn/ProductDetail/Lattice/LC4256V-B-EVN/?qs=8h...
littleshrimp 综合技术交流
(转)SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM 区别
特点简介:SRAM:静态RAM,不用刷新,速度可以非常快,像CPU内部的cache,都是静态RAM,缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多,因而价格昂贵,容量不大。DRAM:动态RAM,需要刷新,容量大。SDRAM:同步动态RAM,需要刷新,速度较快,容量大。DDRSDRAM:双通道同步动态RAM,需要刷新,速度快,容量大。具体解释一:什么是DRAM  DRAM的英文全称是\'DynamicRAM\...
白丁 综合技术交流
大功率LED灯串调节亮度
各位朋友好:最近在做LED灯串亮度调节,LED灯串最高电压150V,电流最大有1A左右,现在考虑用PWM调节亮度,在开关管选型上比较纠结是用开关三极管13003还是用场效应管好?另外电路设计方面需要考虑哪些因素,需不需要加一些保护措施?大功率LED灯串调节亮度保护措施当然是必要的。开关电源,使用MOS管比使用双极型管要省事,而且不是省一点点。maychang发表于2015-7-1219:36保护措施当然是必要的。开关电源,使用MOS管比使用双极型管...
seanwaye 综合技术交流
树莓派替代台式计算机?树莓派上七款最佳的轻量级操作系统!
RaspberryPi是一款超级实惠的单板计算机(SBC),可用于各种不同的项目。RaspberryPi的一些最流行用途包括将其变成媒体播放器或模拟机器。鉴于该系统的多功能性,有人想知道它是否可以替代台式计算机。好吧,它可以,但您需要以下专为RaspberryPi设计的轻量级操作系统的帮助。注意:RaspberryPi市场上有许多不同的型号。对于本文,我们将重点介绍在RaspberryPi5上运行流畅的系统。虽然这些系统也可能在较弱的硬件(如Zero)上...
树莓派开发者 综合技术交流