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1U1

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
O-PALF-W2
针数
2
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1 V
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流
30 A
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
50 V
最大反向恢复时间
0.05 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
1U1 ~ 1U7
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast switching for high efficiency.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.138(3.5)
CURRENT
1.0 Amperes
R-1
Unit: inch(mm)
.787(20.0)MIN.
.025(.64)
.021(.53)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic, R-1
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0068 ounce, 0.1937 gram
.787(20.0)MIN.
.114(2.9)
.102(2.6)
.087(2.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PAR AME T E R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 2 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J A
t
rr
T
J
, T
S T G
1 U1
50
35
50
1 U2
100
70
100
1 U3
200
140
200
1 U4
400
280
400
1 .0
30
1 U5
600
420
600
1 U6
800
560
800
1 U7
1000
700
1000
U N IT S
V
V
V
A
A
1 .0
1 .3
1 0 .0
500
17
65
50
-5 5 to +1 5 0
1 .7
V
µ
A
pF
O
C / W
ns
O
75
C
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Reverse Recovery Time I
F
=.5A ,I
R
=1A , I
rr
=.25A
STAD-FEB.12.2009
PAGE . 1
1U1 ~ 1U7
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
AVERAGE FORWARD CURRENT, AMPERES
1.2
35
FORWARD SURGE CURRENT,AMPERES
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
30
25
20
15
10
5
1
SINGLE PHASE
HALF WAVE
60Hz
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
.375" LEAD LENGTHS
0
25
50
75
100
125
O
150
1
5
10
50
100 200
1000
AMBIENT TEMPERATURE, C
NO. OF CYCLES AT 60Hz
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.2 PEAK FORWARD SURGE CURRENT
10
50-200V
1000
FORWARD CURRENT, AMPERES
,
INST
ANTANEOUS REVERSECURRENT uA
400V
1.0
600-1000V
100
T
J
= 1 C
50
O
10
T
J
= 100
O
C
0.1
1.0
T
J
= 2 C
5
O
T
A
=25
O
C
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
20
40
60
80
100
120
140
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%
Fig.3 FORWARD CHARACTERISTICS
Fig.4-TYPICALREVERSECHARACTERISTIC
100
JUNCTION CAPACITANCE, pF
T
J
=25 C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
O
10
1
0.1
1.0
10
100
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
Fig.5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
STAD-FEB.12.2009
PAGE . 2
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