首页 > 器件类别 >

2CW035033JL

2cw035xxxjl series zener diode chips for plastic package

厂商名称:士兰微(Silan)

厂商官网:http://www.silanic.com.cn/

下载文档
文档预览
2CW035XXXJL
2CW035XXXJL SERIES ZENER DIODE CHIPS FOR PLASTIC PACKAGE
DESCRIPTION
Ø
2CW035XXXJL series are low-power zener diode chips for
plastic package that fabricated in silicon epitaxial planar
technology.
Ø
These series can provide two kinds of precision voltage
chips for different regulator voltage.
Ø
The chip thickness is 180µm or 150µm. The top electrode
material is Al, and the back-side electrode material is Au.
Ø
Ø
Chip size: 0.35 X 0.35 (mm)
2
.
2CW035XXXJL CHIP TOPOGRAPHY
Pad Size: when Vz 10V , is 0.216 X 0.216 (mm) ; Vz<10V
is 0.200 X 0.200(mm)
2
.
2
ORDERING INFORMATION
Series
2CW035XXXJL-2
2CW035XXXJL
Specification
2% tolerance
5% tolerance
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristics
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
T
j
T
stg
Test conditions
----
----
Value
175
-50~+175
Unit
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(For packaged diodes, T
amb
=25°C)
Type
Working Voltage@ Izt=5mA)
Dynamic resistance
Zzk(Ω)@
2CW035XXXJL
Vz(V)
±2%
Vz(V)
±5%
Izk=1mA
Max.
2CW035020JL
2CW035022JL
2CW035024JL
2CW035027JL
2CW035030JL
2CW035033JL
----
----
----
----
----
----
1.9-2.1
2.09-2.31
2.28~2.52
2.57~2.84
2.85~3.15
3.14~3.47
600
600
600
600
600
600
Zzt(
)@
Izt=5mA
Max.
100
100
85
85
85
85
Reverse leakage current
@ T
amb
=25°C@ V
R
IR(µA)
Max.
90
90
50
10
4
2
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
(To be continued)
VR(V)
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http: www.silan.com.cn
REV:1.0
2005.07.15
Page 1 of 2
2CW035XXXJL
(Continued)
Type
2CW035XXXJL
2CW035036JL
2CW035039JL
2CW035043JL
2CW035047JL
2CW035051JL
2CW035056JL
2CW035062JL
2CW035068JL
2CW035075JL
2CW035082JL
2CW035091JL
2CW035100JL
2CW035110JL
2CW035120JL
2CW035130JL
2CW035150JL
2CW035160JL
2CW035180JL
2CW035200JL
2CW035220JL
2CW035240JL
2CW035270JL
2CW035300JL
2CW035330JL
2CW035360JL
2CW035390JL
2CW035430JL
2CW035470JL
2CW035510JL
2CW035560JL
2CW035620JL
2CW035680JL
Working Voltage@ Izt=5mA)
Vz(V)
±2%
3.53~3.67
3.82~3.98
4.21~4.39
4.61~4.79
5.00~5.20
5.49~5.71
6.08~6.32
6.66~6.94
7.35~7.65
8.04~8.36
8.92~9.28
9.80~10.20
10.78~11.22
11.76~12.24
12.74~13.26
14.70~15.30
15.68~16.32
17.64~18.36
19.60~20.40
21.56~22.44
23.52~24.48
26.46~27.54
29.40~30.60
32.34~33.66
35.28~36.72
38.22~39.78
42.14~43.86
46.06~47.94
49.98~52.02
54.88~57.12
60.76~63.24
66.64~69.36
Vz(V)
±5%
3.42~3.78
3.71~4.10
4.09~4.52
4.47~4.94
4.85~5.36
5.32~5.88
5.89~6.51
6.46~7.14
7.13~7.88
7.79~8.61
8.65~9.56
9.50~10.50
10.45~11.55
11.40~12.60
12.40~13.65
14.25~15.60
15.30~16.80
17.10~18.90
19.00~21.00
20.90~23.10
22.80~25.20
25.65~28.35
28.50~31.50
31.35~34.65
34.20~37.80
37.05~40.95
40.85~45.15
44.65~49.35
48.45~53.55
53.2~58.8
58.9~65.1
64.6~71.4
Dynamic resistance
Zzk(Ω)@
Izk=1mA
600
600
600
500
480
400
150
80
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
Zzt(
)@
Izt=5mA
85
85
80
70
50
30
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
45
55
55
70
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
Reverse leakage current
@ T
amb
=25°C@ V
R
IR(µA)
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
VR(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.1
6.8
7.5
8.2
9.0
9.7
11
12
14
15
17
18
20
22
24
27
29
32
35
38
42
46.5
51
56
2CW035750JL
73.5~76.5
71.25~78.75
1500
250
Forward Voltage VF= 1.0 V Maximum @ IF = 100 mA for all 2CW035XXXJL series.
*Note: from 39V up to 75V Vz@Iz=2.5mA, Zzt@Iz=2.5mA,Zzk@Iz=0.5mA.
HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD
Http: www.silan.com.cn
REV:1.0
2005.07.15
Page 2 of 2
查看更多>
这个电路里为什么要把2颗电容串联在一起?
我在TI的一款锂电池保护(电荷计)芯片手册里看到这样一个电路,他们把2颗100nF的电容串联在一起,像红框里那样。我应该是第一次看到这种画法,我不清楚他们为什么要这么画,因为我想不出使用2个电容串联的必要性。数据手册:这个电路里为什么要把2颗电容串联在一起?为了BOM中少一个元件,所以就用了现在的低压的电容,两个串在一起组成一个高压的电容感觉是为了保险吧害怕一个电容坏了短路串了两个,在想不出来其他原因找到了如图 学习了。感谢。 学到了,谢谢...
littleshrimp 综合技术交流
问一个 串口通信的问题 纠结了很久
串口发送数据是一位一位发送的接收数据也是一位一位接收的除去起始位和停止位就剩下了8位数据当接收到8位数据后便申请中断所以必须在下一个8位数据来之前取走这个数据不然这个数据就会丢失以上这些是别人告诉我的(下面是我的理解)但是串口里面不是有一个叫接收缓存寄存器吗??单片机来不及处理的数据不是可以存在那里吗??还有如果我通过串口调试助手向单片机发送yes我的理解是先发送y然后是e最后是s系统会分别将这三个...
1157421908 TI技术论坛
如何把定周期红绿灯显示程序变成不定周期的
用的是CortexM0+中LPC812单片机谢谢大神们指教。源程序如下:#includeLPC8xx.h#defineLED1(11)/*LED1-P0.1red*/#defineLED2(10)/*LED2-P0.0green*/#defineMAX_SEC9#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedint#...
bkd stm32/stm8
单芯片的一致多处理(图)
随着SoC设计元件的出现,如MIPS321004K一致处理系统(CPS),单操作系统条件下的片上对称多处理(SMP)已经成为了一种真正的设计选择,而系统架构师也需要了解其优点和局限性。任务越多,越需要并行复杂的模块化多任务处理嵌入式软件系统经常表现出“偶然发现的”并发,如图1所示。该系统的总任务可能包括多任务操作,每个操作都有不同的职责,可满足一系列不同的输入需求。如果没有分时操作系统,这些任务中的每个都必须在独立的处理器上运行。在一个分时单处理器(uniprocessor)上,任务...
黑衣人 单片机
平时连WIFI大家喜欢连2.4GHz还是5GHz?
感觉日常用2.4GHz的速度是完全够用的(能达到10~30Mbit/s),2.4GHz和5GHz除了频段不一样,速度的上限不一样,其他区别不是很大。还有5GHz的穿透性没有2.5GHz的好,也就是隔着墙,5GHz信号比2.4GHz的信号差。那么平时你连WIFI更喜欢连接哪一个频段的?平时连WIFI大家喜欢连2.4GHz还是5GHz?5G更快下载大文件的时候比较明显...
wangerxian RF/无线
lm3s8962上的RT-Thread连载——简单的HTTP服务器
本来是打算从内核开始写起,到网络,文件系统,GUI等一系列连载,发现自己写东西的速度太慢,按这样的速度也不知道什么时候才能写到网络,而LM3S8962的精华部分在于网络,所以干脆先从网络部分的内容开始,后面间隔的插入内核等部分的内容。先预告下下一节内容——用NETIO来测试网络速度RT-Thread网络实验1简单的HTTP服务器实验目的:²了解RT-Thread的网络组件,了解LWIP的基本API使用;...
shaolin 嵌入式系统