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2SB649A

厂商名称:长电科技(JCET)

厂商官网:http://www.cj-elec.com/

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器件参数
参数名称
属性值
晶体管类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
160V
集电极电流(Ic)
1.5A
功率(Pd)
1W
集电极截止电流(Icbo)
10uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
1V@500mA,50mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
100@150mA,5V
特征频率(fT)
140MHz
工作温度
+150℃@(Tj)
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