2SC2412K
Rev.FApr.-2017
DATA SHEET
描述
/
Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导½三极管。Silicon
NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征
/ Features
共基极输出电容小。
Low C
ob
.
用途
/
Applications
用于普通放大。
General amplifier.
内部等效电路
/ Equivalent Circuit
引脚排列
/ Pinning
3
1
2
PIN1：Base
放大及印章代码
PIN 2：Emitter
PIN 3：Collector
/ h
FE
Classifications & Marking
Q
120½270
HBQ
R
180½390
HBR
S
270½560
HBS
h
FE
Classifications
Symbol
h
FE
Range
Marking
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1
/
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极限参数
/ Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
符号
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
数值
Rating
60
50
7.0
150
200
150
-55½150
单½
Unit
V
V
V
mA
mW
℃
℃
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
电性½参数
/ Electrical Characteristics(Ta=25℃)
符号
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
测试条件
Test Conditions
I
C
=50μA
I
C
=1.0mA
I
E
=50μA
V
CB
=60V
V
EB
=7.0V
V
CE
=6.0V
I
C
=50mA
V
CE
=12V
f=100MHz
V
CB
=12V
f=1.0MHz
I
c
=1.0mA
I
B
=5.0mA
I
E
=-2.0mA
I
E
=0
180
2.0
3.5
120
最小值 典型值 最大值 单½
Min
Typ
Max
Unit
60
50
7.0
0.1
0.1
560
0.4
V
MHz
pF
V
V
V
μA
μA
参数
Parameter
Collector- Base Breakdown
Voltage
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Base Cut-Off Current
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation
Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
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2
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电参数曲线图
/ Electrical Characteristic Curve
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3
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外½尺寸图
/ Package Dimensions
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印章说明
/
Marking Instructions
HBQ
说明：
H：
B：
Q：
Note:
H：
B：
Q：
Company Code
Product Type Code
h
FE
Classifications Symbol
为公司代码
为型号代码
为
h
FE
档次代码
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5
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电子工程世界
