扬州中芯晶来半导½制造有限公司
YANGZHOU GENESIS-JINGLAI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE Co.,LTD
DK13005
硅
NPN
大功率开关晶½管
■用
途
主要用于节½灯、日光灯电子镇流器电路及其它开关、振荡电路。
■极限参数
项
目
符 号
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
tot
（
1
）
P
tot
（
2
）
T
jm
T
stg
极 限 值
400
700
9
5
75
1.75
150
-55~+150
单 ½
V
V
V
A
W
W
℃
℃
B CE
■外½结构
集电极-发射极电压
集电极-基极电压
发射极-基极电压
集电极电流
集电极功耗
T
C
=25℃
集电极功耗
T
a
=25℃
结温
贮存温度
TO-220
■电 特 性(T
a
=25℃)
项目
集电极-基极反向电流
发射极-基极反向电流
直流电流增益
集电集-发射极饱和电压
基极-发射极饱和电压
集电极-发射极击穿电压
特征频率
贮存时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
(BR)CEO
f
T
t
s
V
CB
=700 V
V
EB
=9 V
V
CE
=5 V,
I
C
=0.5 A
I
C
=2 A,
I
B
=0.5 A
I
C
=2 A,
I
B
=0.5 A
I
C
=1 mA
V
CE
=5 V,
I
C
=0.5 A,
f=1
MHz
I
C
=0.5 A(UI9600)
测试条件
参数值
≤0.1
≤0.1
10~40
≤1.0
≤1.6
≥400
≥4
≤4.5
V
V
V
MHz
µs
单½
mA
mA
电子工程世界
