ABS2 THRU ABS10
桥式整流器
Bridge Rectifier
■特征
Features
●
●
■外½尺寸和印记
ABS
-
+
Outline Dimensions and Mark
.010(0.25)
.006(0.15)
.028(0.7)
.012(0.3)
.006(0.15)
.002(0.05)
I
o
1A
V
RRM
200V~1000V
●
玻璃钝化芯片
Glass passivated chip
●
耐正向浪涌电流½力高
High surge forward current capability
Mounting Pad Layout
.177(4.5) .252(6.4)
.169(4.3) .236(6.0)
0.225(5.72)
■用途
Applications
●
.161(4.1)
.154(3.9)
.20(5.1)
.193(4.9)
½一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
.059(1.50)MAX
.048(1.22)
.028(0.7)
.024(0.6)
.056(1.42)
0.157(4.00)
0.035(0.90)
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值（绝对最大额定值）
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse
Voltage
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
正向（不重复）浪涌电流
Surge(Non-
repetitive)Forward Current
正向浪涌电流的平方对电流
浪涌持续时间的积分值
Current Squared Time
存储温度
Storage Temperature
结温
Junction Temperature
符号 单½
Symbol Unit
V
RRM
V
条件
Conditions
2
200
4
400
ABS
6
600
8
800
10
1000
I
O
A
60Hz正弦波，
电阻负½½，Ta=25℃ 安装在氧化铝基板上
60Hz sine wave,
On alumina substrate
R-load,Ta=25℃
60H
Z
正弦波，一个周期，T
j
=25℃
60H
Z
sine wave, 1 cycle, T
j
=25℃
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode
1.0
I
FSM
A
30
2
It
A
2
S
℃
℃
3.7
-55 ~+150
-55 ~+150
T
stg
T
j
■电特性 （T
a=25℃
除非另有规定）
Electrical Characteristics
（T
a
=25℃ Unless otherwise specified）
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
热阻
Thermal Resistance
符号 单½
Symbol Unit
V
FM
I
RRM
R
θ
J-A
℃/W
R
θ
J-L
V
μA
测试条件
Test Condition
I
FM
=0.4A,
脉冲测试，单个二极管的额定值
I
FM
=0.4A, Pulse measurement, Rating of per diode
V
RM
=V
RRM
,脉冲测试，单个二极管的额定值
V
RM
=V
RRM
, Pulse measurement, Rating of per diode
结和环境之间，安装在氧化铝基板上
Between junction and ambient, On alumina substrate
结和引线之间
Between junction and lead
最大值
Max
0.95
10
62.5
25
Document Number 0001
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
ABS2 THRU ABS10
■特性曲线（典型）
Characteristics(Typical)
图
1
：
Io-Ta
曲线
FIG1:Io-Ta Curve
IFSM(A)
Io(A)
1.2
图2：耐正向浪涌电流曲线
FIG2:Surge Forward Current Capadility
35
30
25
20
15
不重复
non-repetitive
Tj=25
℃
正弦波
sine wave
1.0
在氧化铝基板上
on alumina substrate
0
IFSM
8.3ms 8.3ms
1cycle
0.8
正弦波，电阻负½½，
用散热片
sine wave R-load
with heatsink
0.6
0.4
10
0.2
5
0
0
40
80
120
160
Ta(
℃
)
0
1
2
5
10
20
50
100
Number of Cycles
IR(uA)
图3：正向电压曲线
FIG3: Forward Voltage
IF(A)
6
4
2
1
0.5
图4：反向电流曲线
FIG4:Typical Reverse Characteristics
100
Tj=150
℃
10
1.0
Ta=25
℃
0.1
0.05
0.02
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VF(V)
Tj=25
℃
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
Voltage(%)
Document Number 0001
Rev. 1.0, 22-Sep-11
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