AF5N60S

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W 类型：N沟道

器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称：台湾安邦(AnBon)

厂商官网：http://www.formosagr.com/